91 - 100 из 120Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2020

  2. Free Energy of Nucleus Formation during Growth of III-V Semiconductor Nanowires

    Dubrovskii, V. G., Sokolovskii, A. S. & Shtrom, I. V., 1 сен 2020, в: Technical Physics Letters. 46, 9, стр. 889-892 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Limits of III-V Nanowire Growth

    Dubrovskii, V. G., Sokolovskii, A. S. & Hijazi, H., 1 сен 2020, в: Technical Physics Letters. 46, 9, стр. 859-863 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Ga2Se3 Nanowires via Au-Assisted Heterovalent Exchange Reaction on GaAs

    Berto, F., Haghighian, N., Ferfolja, K., Gardonio, S., Fanetti, M., Mussi, V., Dubrovskii, V. G., Shtrom, I. V., Franciosi, A. & Rubini, S., 13 авг 2020, в: Journal of Physical Chemistry C. 124, 32, стр. 17783-17794 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Be, Te, and Si Doping of GaAs Nanowires: Theory and Experiment

    Dubrovskii, V. G., Hijazi, H., Goktas, N. I. & LaPierre, R. R., 6 авг 2020, в: Journal of Physical Chemistry C. 124, 31, стр. 17299-17307 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Surface Diffusion of Gallium as the Origin of Inhomogeneity in Selective Area Growth of GaN Nanowires on AlxOy Nucleation Stripes

    Sobanska, M., Zytkiewicz, Z. R., Ekielski, M., Klosek, K., Sokolovskii, A. S. & Dubrovskii, V. G., 1 июл 2020, в: Crystal Growth and Design. 20, 7, стр. 4770-4778 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Effect of Arsenic Depletion on the Silicon Doping of Vapor-Liquid-Solid GaAs Nanowires

    Dubrovskii, V. G. & Hijazi, H., 1 июн 2020, в: Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs. 14, 6, 5 стр., 2000129.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. MBE-Grown In xGa1– xAs Nanowires with 50% Composition

    Dubrovskii, V. G., Reznik, R. R., Kryzhanovskaya, N. V., Shtrom, I. V., Ubyivovk, E. D., Soshnikov, I. P. & Cirlin, G. E., 1 июн 2020, в: Semiconductors. 54, 6, стр. 650-653 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Oscillations of As Concentration and Electron-to-Hole Ratio in Si-Doped GaAs Nanowires

    Dubrovskii, V. G. & Hijazi, H., мая 2020, в: Nanomaterials. 10, 5, 10 стр., 833.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Growth of Self-Catalyzed InAs/InSb Axial Heterostructured Nanowires: Experiment and Theory

    Arif, O., Zannier, V., Dubrovskii, V. G., Shtrom, I. V., Rossi, F., Beltram, F. & Sorba, L., мар 2020, в: Nanomaterials. 10, 3, 12 стр., 494.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Stabilization of wurtzite crystal phase in arsenide nanowires via elastic stress

    Sibirev, N. V., Berdnikov, Y. S., Sibirev, V. N. & Dubrovskii, V. G., 2020, 2020 International Conference Laser Optics (ICLO). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

Назад 1...6 7 8 9 10 11 12 Далее

ID: 148847