91 - 100 из 137Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2021

  2. Dynamics of monolayer growth in vapor–liquid–solid gaas nanowires based on surface energy minimization

    Hijazi, H. & Dubrovskii, V. G., июл 2021, в: Nanomaterials. 11, 7, 7 стр., 1681.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Improving the yield of GaAs nanowires on silicon by Ga pre-deposition

    Wilson, D. P., Dubrovskii, V. G. & Lapierre, R. R., 25 июн 2021, в: Nanotechnology. 32, 26, 7 стр., 265301.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Comprehensive model toward optimization of SAG In-rich InGaN nanorods by hydride vapor phase epitaxy

    Hijazi, H., Zeghouane, M., Jridi, J., Gil, E., Castelluci, D., Dubrovskii, V. G., Bougerol, C., Andre, Y. & Trassoudaine, A., 9 апр 2021, в: Nanotechnology. 32, 15, 7 стр., 155601.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Simultaneous Selective Area Growth of Wurtzite and Zincblende Self-Catalyzed GaAs Nanowires on Silicon

    Dubrovskii, V. G., Kim, W., Piazza, V., Güniat, L. & Fontcuberta I Morral, A., 5 апр 2021, в: Nano Letters. 21, 7, стр. 3139-3145 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Kinetics of guided growth of horizontal gan nanowires on flat and faceted sapphire surfaces

    Rothman, A., Maniš, J., Dubrovskii, V. G., Šikola, T., Mach, J. & Joslevich, E., 3 мар 2021, в: Nanomaterials. 11, 3, стр. 1-9 9 стр., 624.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Conformal Growth of Radial InGaAs Quantum Wells in GaAs Nanowires

    Goktas, N. I., Dubrovskii, V. G. & Lapierre, R. R., 26 янв 2021, в: Journal of Physical Chemistry Letters. 12, 4, стр. 1275-1283 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Long catalyst-free InAs nanowires grown on silicon by HVPE

    Grégoire, G., Gil, E., Zeghouane, M., Bougerol, C., Hijazi, H., Castelluci, D., Dubrovskii, V. G., Trassoudaine, A., Goktas, N. I., Lapierre, R. R. & André, Y., 14 янв 2021, в: CrystEngComm. 23, 2, стр. 378-384 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Kinetic broadening of size distribution in terms of natural versus invariant variables

    Dubrovskii, V. G., Sibirev, N. V. & Sokolovskii, A. S., 13 янв 2021, в: Physical Review E. 103, 1, 12 стр., 012112.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Thermodynamics of the vapor–liquid–solid growth of ternary III–V nanowires in the presence of silicon

    Hijazi, H., Zeghouane, M. & Dubrovskii, V. G., янв 2021, в: Nanomaterials. 11, 1, стр. 1-8 8 стр., 83.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Зависимость скорости роста и структуры III-V нитевидных нанокристаллов от площади сбора адатомов на поверхности подложки

    Дубровский, В. Г., 2021, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 47, 9, стр. 37-40

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...6 7 8 9 10 11 12 13 14 Далее

ID: 148847