21 - 23 из 23Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2018

  2. MBE Growth and Structural Properties of GaP and InP Nanowires on a SiC Substrate with a Graphene Layer

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Ilkiv, I. V., Soshnikov, I. P., Lebedev, S. P., Lebedev, A. A., Kirilenko, D. A., Alexeev, P. A. & Cirlin, G. E., 1 ноя 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1428-1431 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Phosphorus-Based Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy on Silicon

    Cirlin, G. E., Reznik, R. R., Samsonenko, Y. B., Khrebtov, A. I., Kotlyar, K. P., Ilkiv, I. V., Soshnikov, I. P., Kirilenko, D. A. & Kryzhanovskaya, N. V., 1 ноя 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1416-1419 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. New method for MBE growth of GaAs nanowires on silicon using colloidal Au nanoparticles

    Bouravleuv, A., Ilkiv, I., Reznik, R., Kotlyar, K., Soshnikov, I., Cirlin, G. E., Brunkov, P., Kirilenko, D., Bondarenko, L., Nepomnyaschiy, A., Gruznev, D., Zotov, A., Saranin, A., Dhaka, V. & Lipsanen, H., 26 янв 2018, в: Nanotechnology. 29, 4, 045602.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 Далее

ID: 93571534