Research output

  1. Growth of GaN Nanowires with InN Inserts by PA-MBE

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  2. MBE growth and properties of branched AlGaAs nanowires on silicon

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

View all (44) »

Projects

  1. Непланарные III-V наноструктуры переменной размерности для полупроводниковой элементной базы нового поколения: 2025 г. этап 1

    Project: Grant fulfilment › Grant stage fulfilment

  2. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2025 г. этап 3

    Project: Grant fulfilment › Grant stage fulfilment

  3. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2024 г. этап 2

    Project: Grant fulfilment › Grant stage fulfilment

View all () »

Activities

  1. Size-dependent properties of InAs quantum dots in Si

    Activity: Conference talk types › Oral presentation

  2. Photoluminescence enhancement of InGaN core-shell nanowires via wet chemical treatment

    Activity: Conference talk types › Oral presentation

View all (2) »

ID: 76767234