Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

Translated title of the contribution	Влияние буферного слоя GaAs на характеристики GaAs ННК, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(111)
Original language	English
Pages (from-to)	152-155
Journal	НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ
Volume	18
Issue number	3.1
DOIs	https://doi.org/10.18721/JPM.183.129
State	Published - 10 Dec 2025
Event	Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам Saint Petersburg OPEN 2025 - Санкт-Петербург, Санкт-Петербург, Russian Federation Duration: 20 May 2025 → 23 May 2025 https://spb.hse.ru/spbopen/