Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review
Accepted author manuscript, 530 KB, PDF document
| Translated title of the contribution | Влияние буферного слоя GaAs на характеристики GaAs ННК, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(111) |
|---|---|
| Original language | English |
| Journal | НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ |
| State | Accepted/In press - 2025 |
ID: 141918452