Research output

  1. Photoluminescence Redistribution of InGaN Nanowires Induced by Plasmonic Silver Nanoparticles

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  2. FEATURES OF THE MBE GROWTH OF ALGAAS NANOWIRES WITH INAS QUANTUM DOTS ON THE SILICON SURFACE

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  3. Physical properties of GaN nanowires with core-shell InGaN/GaN insertions grown by PA-MBE on Si substrate

    Research output: Contribution to journal › Conference article

View all (32) »

Projects

  1. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2024 г. этап 2

    Project: Grant fulfilment › Grant stage fulfilment

  2. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2023 г. этап 1

    Project: Grant fulfilment › Grant stage fulfilment

  3. Гетероструктуры на основе нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V и широкозонных полупроводников: фундаментальные исследования и инновационный дизайн функциональных наноматериалов для оптоэлектроники: 2024 г. этап 4

    Project: Grant fulfilment › Grant stage fulfilment

View all () »

Activities

  1. ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ НЕПЛАНАРНЫХ НАНОСТРУКТУР INGAN В ОБЛАСТИ НЕСМЕШИВАЕМОСТИ И ИХ СВОЙСТВА

    Activity: Talk types › Oral presentation

  2. Особенности роста гибридных III-V наноструктур на полупроводниковых подложках

    Activity: Talk types › Oral presentation

  3. Нитевидные нанокристаллы ingan со структурой «ядро-оболочка» на кремнии

    Activity: Talk types › poster

View all (6) »

ID: 51861740