Research output

  1. Instantaneous growth of single monolayers as the origin of spontaneous core-shell InxGa1−xN nanowires with bright red photoluminescence

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  2. Influence of the wet-chemical treatment on the optical and structural properties of coreshell InGaN nanowires

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  3. Growth of Three-Dimensional InGaN Nanostructures by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

View all (40) »

Projects

  1. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2024 г. этап 2

    Project: Grant fulfilment › Grant stage fulfilment

  2. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2023 г. этап 1

    Project: Grant fulfilment › Grant stage fulfilment

  3. Гетероструктуры на основе нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V и широкозонных полупроводников: фундаментальные исследования и инновационный дизайн функциональных наноматериалов для оптоэлектроники: 2024 г. этап 4

    Project: Grant fulfilment › Grant stage fulfilment

View all () »

Activities

  1. Size-dependent properties of InAs quantum dots in Si

    Activity: Conference talk types › Oral presentation

  2. Photoluminescence enhancement of InGaN core-shell nanowires via wet chemical treatment

    Activity: Conference talk types › Oral presentation

  3. Эффекты самоорганизации при выращивании нитевидных нанокристаллов InGaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

    Activity: Conference talk types › Oral presentation

View all (9) »

ID: 51861740