Research output

  1. GaAs Nanowire Growth by MBE with Catalyst Forming Eutectic Points with Both Elements

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  2. MBE growth and properties of branched AlGaAs nanowires on silicon

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. Influence of capping layer growth mode on the photoluminescence of InAs quantum dots in silicon

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

View all (44) »

Projects

  1. Непланарные III-V наноструктуры переменной размерности для полупроводниковой элементной базы нового поколения: 2025 г. этап 1

    Project: Grant fulfilment › Grant stage fulfilment

  2. Лаборатория новых полупроводниковых материалов для квантовой информатики и телекоммуникаций

    Project: Research groups

  3. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2025 г. этап 3

    Project: Grant fulfilment › Grant stage fulfilment

View all () »

Activities

  1. КИНЕТИКА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ GaAs НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ С АМФОТЕРНЫМ КАТАЛИЗАТОРОМ

    Activity: Conference talk types › Oral presentation

  2. GaAs nanowires growth with lead catalyst

    Activity: Conference talk types › Oral presentation

  3. Светоизлучающие гетероструктуры с InAs квантовыми точками на кремнии

    Activity: Conference talk types › Oral presentation

View all (15) »

ID: 3635561