Research output

  1. Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  2. GaAs Nanowire Growth by MBE with Catalyst Forming Eutectic Points with Both Elements

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. MBE growth and properties of branched AlGaAs nanowires on silicon

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

View all (44) »

Projects

  1. Непланарные III-V наноструктуры переменной размерности для полупроводниковой элементной базы нового поколения: 2025 г. этап 1

    Project: Grant fulfilment › Grant stage fulfilment

  2. Лаборатория новых полупроводниковых материалов для квантовой информатики и телекоммуникаций

    Project: Research groups

  3. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2025 г. этап 3

    Project: Grant fulfilment › Grant stage fulfilment

View all () »

Activities

  1. КИНЕТИКА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ GaAs НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ С АМФОТЕРНЫМ КАТАЛИЗАТОРОМ

    Activity: Conference talk types › Oral presentation

  2. GaAs nanowires growth with lead catalyst

    Activity: Conference talk types › Oral presentation

  3. Formation of p-type and n-type Si doped (Ga,Al)As nanowires

    Activity: Conference talk types › Oral presentation

View all (16) »

ID: 3635561