Research output

  1. Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  2. MBE growth of wurtzite AlGaAs nanowires with zinc-blende insertions

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  3. GaAs Nanowire Growth by MBE with Catalyst Forming Eutectic Points with Both Elements

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

View all (45) »

Projects

  1. Новые полупроводниковые материалы для квантовой информатики и телекоммуникаций: 2026 г. этап 5

    Project: Grant fulfilment › Grant stage fulfilment

  2. Наноструктуры полупроводниковых соединений III-V с управляемой морфологией и расширенной областью состава для оптоэлектроники: 2026 г., этап 2

    Project: Grant fulfilment › Grant stage fulfilment

  3. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2026 г. этап 4

    Project: Grant fulfilment › Grant stage fulfilment

View all () »

Activities

  1. КИНЕТИКА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ GaAs НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ С АМФОТЕРНЫМ КАТАЛИЗАТОРОМ

    Activity: Conference talk types › Oral presentation

  2. GaAs nanowires growth with lead catalyst

    Activity: Conference talk types › Oral presentation

  3. Formation of p-type and n-type Si doped (Ga,Al)As nanowires

    Activity: Conference talk types › Oral presentation

View all (16) »

ID: 3635561