1 - 10 out of 34Page size: 10
  1. 2022

  2. Hexagonal Ge on the side facets of GaAs and AlGaAs nanowires

    Ilkiv, I. V., Kotlyar, K. P., Kirilenko, D. A., Soshnikov, I. P., Mikushev, S. V., Dubrovskii, V. G. & Cirlin, G. E., Jul 2022, 2022 International Conference Laser Optics, ICLO 2022 - Proceedingss. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 1-1

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › Research › peer-review

  3. III-V hybrid nanostructures on silicon: molecular-beam epitaxy growth and physical properties

    Резник, Р. Р., Котляр, К. П., Гридчин, В. О., Цырлин, Г. Э., Хребтов, А. И., Сошников, И. П., Самсоненко, Ю. Б., Илькив, И. В., Крыжановская, Н., Драгунова, А., Leandro, L. & Akopian, N., May 2022.

    Research output: Contribution to conference › Paper › peer-review

  4. 2021

  5. Effect of wet KOH etching on structural properties of GaN nanowires grown on patterned SiOx/Si substrates

    Lendyashova, V. V., Kotlyar, K. P., Gridchin, V. O., Reznik, R. R., Lihachev, A. I., Soshnikov, I. P. & Cirlin, G. E., 14 Dec 2021, In: Journal of Physics: Conference Series. 2103, 1, 012098.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  6. Morphology transformation of InGaN nanowires grown on Si substrate by PA-MBE

    Gridchin, V. O., Dragunova, A. S., Kotlyar, K. P., Reznik, R. R., Komarov, S. D., Kryzhanovskaya, N. V., Soshnikov, I. P., Samsonenko, Y. B. & Cirlin, G. E., 6 Dec 2021, In: Journal of Physics: Conference Series. 2086, 1, 012013.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  7. Separation of III-N partially-coalesced nanowire arrays from Si substrate

    Lendyashova, V. V., Kotlyar, K. P., Gridchin, V. O., Reznik, R. R., Lihachev, A. I., Shubina, K. Y., Berezovskaya, T. N., Nikitina, E. V., Soshnikov, I. P. & Cirlin, G. E., 6 Dec 2021, In: Journal of Physics: Conference Series. 2086, 1, 012191.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  8. III-V nanowires with quantum dots: MBE growth and properties

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Gridchin, V. O., Ilkiv, I. V., Khrebtov, A. I., Samsonenko, Y. B., Soshnikov, I. P., Kryzhanovskaya, N. V., Leandro, L., Akopian, N. & Cirlin, G. E., 17 Nov 2021, In: Journal of Physics: Conference Series. 2015, 1, 012124.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  9. Specific Features of Structural Stresses in InGaN/GaN Nanowires

    Soshnikov, I. P., Kotlyar, K. P., Reznik, R. R., Gridchin, V. O., Lendyashova, V. V., Vershinin, A. V., Lysak, V. V., Kirilenko, D. A., Bert, N. A. & Cirlin, G. E., Oct 2021, In: Semiconductors. 55, 10, p. 795-798 4 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  10. Directional Radiation from GaAs quantum dots in AlGaAs nanowires

    Reznik, R. R., Morozov, K. M., Krestnikov, I. L., Kotlyar, K. P., Soshnikov, I. P., Leandro, L., Akopian, N. & Cirlin, G. E., May 2021, In: Technical Physics Letters. 47, 5, p. 405-408 4 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  11. Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs

    Цырлин, Г. Э., Резник, Р. Р., Котляр, К. П., Сошников, И. П., Морозов, К. М., Крестников, И. Л., Leandro, L. & Akopian, N., 2021, In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 47, 8

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  12. Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитакси

    Илькив, И. В., Котляр, К. П., Кириленко, Д. А., Осипов, А. В., Сошников, И. П., Теплицкий, А. Н. & Цырлин, Г. Э., 2021, In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 8, p. 621-624

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Previous 1 2 3 4 Next

ID: 11757125