1 - 10 из 19Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2026

  2. Designing the orientation of GaN nanowires on Si(100) through pore geometry engineering

    Dautov, A. M., Sibirev, N. V., Fedorov, V. V., Kharchenko, A. A., Terpitskiy, A. N., Sattorov, M. S., Spivak, Y. M., Vasilkova, E. I., Miniv, D. V., Shugabaev, T., Andreeva, A. S., Lendyashova, V. V., Timur, K. D., Kuznetsov, A., Shtrom, I. V., Reznik, R. R., Cirlin, G. E. & Gridchin, V. O., 1 ноя 2026, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 214, 110925.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Topographically-Guided van der Waals Epitaxy: Selective Growth of AlN Nanowalls on h-BN Step Edges

    Даутов, А. М., Дубровский, В. Г., Шугабаев, Т., Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Кузнецов, А., Алексеев, П., Попов, М., Штром, И. В., Toksumakov, A., Ghazaryan, D., Парфёнова, А., Арсенин, А., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Гридчин, В. О., 15 мар 2026, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 204, 110293.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Formation of Hexagonal Pedestals in Si-doped GaN Layers Grown on AlN/Si(111) Templates

    Даутов, А. М., Шугабаев, Т., Левичев, М., Лендяшова, В. В., Харченко, А., Василькова, Е. И., Кузнецов, А., Котляр, К. П., Цырлин, Г. Э. & Гридчин, В. О., 2026, 2026 IEEE 27th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. 1-5 5 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  5. Vapor-solid-solid growth of GaN nanowires in metastable phase

    Сибирев, Н. В., Штром, И. В. & Даутов, А. М., 2026, в: IEEE Xplore Digital Library.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  6. Селективный рост колончатых микрокристаллов GaN методом HVPE на темплейтах SiOx/AlN(PA-MBE)/Si(111), полученных с использованием микросферной фотолитографии

    Философов, Н. Г., Корякин, А. А., Шарофидинов, Ш. Ш., Гридчин, В. О., Даутов, А. М., Дворецкая, Л., Нащекин, А. В., Штром, И. В., Минив, Д. В., Мухин, И. С. & Цырлин, Г. Э., 2026, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 68, 6, стр. 875-881 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. 2025

  8. Optical Characterization and Surface Plasmon Polariton Mode Simulation of GaN/InGaN Nanowires on Ag/AlOx Film for Plasmonic Nanolasers

    Шугабаев, Т., Харченко, А., Даутов, А. М., Кузнецов, А., Лендяшова, В. В., Крыжановская, Н., Резник, Р. Р., Гридчин, В. О. & Цырлин, Г. Э., дек 2025, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, 3.1, стр. 278-282

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  9. Epitaxial Growth of AlN Nanowires on Two-Dimensional h-BN Flakes Transferred Onto SiO2/Si Substrate

    Даутов, А. М., 8 авг 2025, 2025 IEEE 26th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. 100-103 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  10. EFFECT OF SHORT-TERM HEATING ON THE MORPHOLOGY OF ALF₃ MICROSTRUCTURES

    Штром, И. В., Даутов, А. М., Котляр, К. П., Лендяшова, В. В., Шугабаев, Т., Гридчин, В. О. & Сибирёв, Н. В., 2025, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, 3.1, стр. 283–286

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  11. TEMPERATURE’S EFFECT ON ALUMINUM FLUORIDE MICROSTRUCTURE

    Даутов, А. М., 2025.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  12. Van der Waals Epitaxial Growth of AlN Nanowires on h-BN

    Даутов, А. М., 2025.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 108143992