1 - 10 out of 17Page size: 10
  1. 2026

  2. Designing the orientation of GaN nanowires on Si(100) through pore geometry engineering

    Dautov, A. M., Sibirev, N. V., Fedorov, V. V., Kharchenko, A. A., Terpitskiy, A. N., Sattorov, M. S., Spivak, Y. M., Vasilkova, E. I., Miniv, D. V., Shugabaev, T., Andreeva, A. S., Lendyashova, V. V., Timur, K. D., Kuznetsov, A., Shtrom, I. V., Reznik, R. R., Cirlin, G. E. & Gridchin, V. O., 1 Nov 2026, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 214, 110925.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. Topographically-Guided van der Waals Epitaxy: Selective Growth of AlN Nanowalls on h-BN Step Edges

    Даутов, А. М., Дубровский, В. Г., Шугабаев, Т., Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Кузнецов, А., Алексеев, П., Попов, М., Штром, И. В., Toksumakov, A., Ghazaryan, D., Парфёнова, А., Арсенин, А., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Гридчин, В. О., 15 Mar 2026, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 204, 110293.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  4. Vapor-solid-solid growth of GaN nanowires in metastable phase

    Сибирев, Н. В., Штром, И. В. & Даутов, А. М., 2026, In: IEEE Xplore Digital Library.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  5. 2025

  6. Optical Characterization and Surface Plasmon Polariton Mode Simulation of GaN/InGaN Nanowires on Ag/AlOx Film for Plasmonic Nanolasers

    Шугабаев, Т., Харченко, А., Даутов, А. М., Кузнецов, А., Лендяшова, В. В., Крыжановская, Н., Резник, Р. Р., Гридчин, В. О. & Цырлин, Г. Э., Dec 2025, In: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, 3.1, p. 278-282

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  7. Epitaxial Growth of AlN Nanowires on Two-Dimensional h-BN Flakes Transferred Onto SiO2/Si Substrate

    Даутов, А. М., 8 Aug 2025, 2025 IEEE 26th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 100-103 4 p. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM).

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › peer-review

  8. EFFECT OF SHORT-TERM HEATING ON THE MORPHOLOGY OF ALF₃ MICROSTRUCTURES

    Штром, И. В., Даутов, А. М., Котляр, К. П., Лендяшова, В. В., Шугабаев, Т., Гридчин, В. О. & Сибирёв, Н. В., 2025, In: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, 3.1, p. 283–286

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  9. TEMPERATURE’S EFFECT ON ALUMINUM FLUORIDE MICROSTRUCTURE

    Даутов, А. М., 2025.

    Research output: Contribution to conference › Abstract › peer-review

  10. Van der Waals Epitaxial Growth of AlN Nanowires on h-BN

    Даутов, А. М., 2025.

    Research output: Contribution to conference › Abstract › peer-review

  11. Рост атомарно-гладких слоев AlN на подложках Si(111) с предварительным формированием аморфного слоя SixNy методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

    Гридчин, В. О., Даутов, А. М., Шугабаев, Т., Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Сотник, Г., Козадоев, Д., Пирогов, Е. В., Резник, Р. Р., Лобанов, Д., Кузнецов, А., Большаков, А. Д. & Цырлин, Г. Э., 2025, In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 51, 14, p. 39-43

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  12. 2024

  13. Growth and properties of microstructures based on aluminum fluoride

    Dautov, A. M., Lendyashova, V., Shugabaev, T., Khafizova, A. M. & Kotlyar, K. P., 19 Aug 2024, 2024 International Conference Laser Optics, ICLO 2024 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 352-352 1 p. (IEEE Xplore).

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › peer-review

Previous 1 2 Next

ID: 108143992