Designing the orientation of GaN nanowires on Si(100) through pore geometry engineering

Dautov, A. M., Sibirev, N. V., Fedorov, V. V., Kharchenko, A. A., Terpitskiy, A. N., Sattorov, M. S., Spivak, Y. M., Vasilkova, E. I., Miniv, D. V., Shugabaev, T., Andreeva, A. S., Lendyashova, V. V., Timur, K. D., Kuznetsov, A., Shtrom, I. V., Reznik, R. R., Cirlin, G. E. & Gridchin, V. O., 1 Nov 2026, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 214, 110925.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Topographically-Guided van der Waals Epitaxy: Selective Growth of AlN Nanowalls on h-BN Step Edges

Даутов, А. М., Дубровский, В. Г., Шугабаев, Т., Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Кузнецов, А., Алексеев, П., Попов, М., Штром, И. В., Toksumakov, A., Ghazaryan, D., Парфёнова, А., Арсенин, А., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Гридчин, В. О., 15 Mar 2026, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 204, 110293.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Vapor-solid-solid growth of GaN nanowires in metastable phase

Сибирев, Н. В., Штром, И. В. & Даутов, А. М., 2026, In: IEEE Xplore Digital Libr