Предложена модель самопроизвольного формирования структуры ядро-оболочка в ходе аксиального роста нитевидных нанокристаллов (In,Ga)As при синтезе методом молекулярно-пучковой эпитаксии без независимого бокового роста. В рамках предложенной модели рассчитано распределение In поперек оси нитевидного нанокристалла, согласующееся с экспериментальными наблюдениями. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы тройного состава, структуры ядро-оболочка, нитевидные нанокристаллы (In,Ga)As, радиальные гетероструктуры.