1. 2025
  2. Tunable photoresponse in GaN-based UV photodetectors via synergetic use of colloidal plasmonic nanowires and nanoparticles

    Синицкая, О., Шугабаев, Т., Кузнецов, А., Шубина, К. Ю., Гридчин, В. О., Мизеров, А., Уваров, А. В., Поздеев, В., Котляр, К. П., Резник, Р. Р., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Никитина, Е., 1 Nov 2025, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 198, 109737.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  3. Growth of GaN Nanowires with InN Inserts by PA-MBE

    Лендяшова, В. В., Гридчин, В. О., Котляр, К. П., Резник, Р. Р., Цырлин, Г. Э., Шугабаев, Т. & Хребтов, А. И., 18 Aug 2025, (Accepted/In press) In: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  4. MBE growth and properties of branched AlGaAs nanowires on silicon

    Резник, Р. Р., Андреева, А. С., Котляр, К. П., Хребтов, А. И., Илькив, И. В., Гридчин, В. О., Сошников, И. П., Syuy, A. V., Кузнецов, А., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Дубровский, В. Г., 16 May 2025, In: Nanotechnology. 36, 23, 235601.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  5. Influence of capping layer growth mode on the photoluminescence of InAs quantum dots in silicon

    Лендяшова, В. В., Илькив, И. В., Талалаев, В. Г., Шугабаев, Т., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., 1 Apr 2025, In: Journal of Optical Technology (A Translation of Opticheskii Zhurnal). 92, 4, p. 14-21

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  6. Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

    Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Цырлин, Г. Э., Илькив, И. В. & Хребтов, А. И., 2025, (Accepted/In press) In: НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ.

    Research output: Contribution to journalConference articlepeer-review

  7. Topographically-Guided van der Waals Epitaxy: Selective Growth of AlN Nanowalls on h-BN Step Edges

    Дубровский, В. Г., Даутов, А. М., Шугабаев, Т., Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Кузнецов, А., Алексеев, П., Попов, М., Штром, И. В., Toksumakov, A., Ghazaryan, D., Парфёнова, А., Арсенин, А., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Гридчин, В. О., 2025, (Accepted/In press) In: Materials Science in Semiconductor Processing.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  8. Two bands in PL spectra of InGaN/GaN superlattice embedded in GaN nanowire

    Сибирёв, Н. В., Штром, И. В., Субботина, А. С., Субботина, Е. А., Серов, А. Ю., Философов, Н. Г., Гридчин, В. О. & Цырлин, Г. Э., 2025, (Accepted/In press) In: НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ. 18, 4.1

    Research output: Contribution to journalConference articlepeer-review

Previous 1 2 3 4 5 6 7 8 Next

ID: 70430060