1. 2009
  2. Synchrotron microscopy and spectroscopy for analysis of crystal defects in silicon

    Seifert, W., Vyvenko, O. F., Arguirov, T., Erko, A., Kittler, M., Rudolf, C., Salome, M., Trushin, M. & Zizak, I., 2009, In: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 6, 3, p. 765-771

    Research output: Contribution to journalArticle

  3. РАЗРАБОТКА СПОСОБА НЕКОВАЛЕНТНОЙ ФИКСАЦИИ ДНК НА ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛА КРЕМНИЯ

    Волков, И. Л., Базлов, Н. В., Бондаренко, А. С., Вывенко, О. Ф. & Касьяненко, Н. А., 2009, In: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ. 3, p. 45-51

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  4. Экспериментальное определение толщины „мертвого слоя“

    Убыйвовк, В. Е., Логинов, Д. К., Герловин, И. Я., Долгих, Ю. К., Ефимов, Ю. П., Елисеев, С. А., Петров, В. В., Вывенко, О. Ф., Ситникова, А. А. & Кириленко, Д. А., 2009, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 51, 9, p. 1818-1823

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  5. 2008
  6. A pure 1.5 μm electroluminescence from metal-oxide-silicon tunneling diode using dislocation network

    Yu, X., Seifert, W., Vyvenko, O. F. & Kittler, M., 2008, In: Applied Physics Letters. 93, 4, p. 041108_1-3

    Research output: Contribution to journalArticle

  7. Detection of the border dead layer in thick quantum wells GaAs/AlGaAs

    Ubyivovk, E. V., Loginov, D. K., Gerlovin, I. Y., Dolgikh, Y. K., Efimov, Y. P., Eliseev, S. A., Petrov, V. V., Vyvenko, O. F., Sitnikova, A. A. & Kirilenko, D. A., 2008, XXII Russian Conference of the electron microscopy.

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contributionResearch

  8. Dislocations in silicon as a tool to be used in optics, electronics and biology

    Kittler, M., Reiche, M., Arguirov, T., Mchedlidze, T., Seifert, W., Vyvenko, O. F., Wilhelm, T. & Yu, X., 2008, In: Solid State Phenomena. 131-133, p. 289-292 4 p.

    Research output: Contribution to journalConference articlepeer-review

  9. 2007
  10. Enhancement of IR emission from a dislocation network in Si due to an external bias voltage

    Yu, X., Vyvenko, O. F., Reiche, M. & Kittler, M., Sep 2007, In: Materials Science and Engineering C. 27, 5-8 SPEC. ISS., p. 1026-1029 4 p.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  11. Silicon nanostructures for IR light emitters

    Kittler, M., Arguirov, T., Seifert, W., Yu, X., Jia, G., Vyvenko, O. F., Mchedlidze, T., Reiche, M., Sha, J. & Yang, D., Sep 2007, In: Materials Science and Engineering C. 27, 5-8 SPEC. ISS., p. 1252-1259 8 p.

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

ID: 218817