Research output

  1. Trigonal pseudomorphism of κ-Ga2O3 grown on c-sapphire by HVPE

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  2. Исследования глубоких состояний в поверхностно-барьерном детекторе N3-21 на основе широкозонного полупроводника SiC (март 2025 г. - рабочие материалы)

    Research output: Working paper

  3. Фотоэлектрические свойства диодной структуры Au/GaO/GaN/sapphire – образец GO-1008 (рабочие материалы, январь – март 2025 г.)

    Research output: Working paper

View all (34) »

Projects

  1. Структура, рекомбинационные и электрические свойства ультраширокозонных полупроводников

    Project: Grant fulfilment › Total grant fulfilment

View all () »

Activities

  1. Варыгин Г.В., Базлов Н.В., Вывенко О.Ф., Шапенков С.В., Николаев В.И. Электрические свойства к-фазы Ga2O3

    Activity: Conference talk types › poster

View all (1) »

ID: 147004