91 - 100 out of 184Page size: 10
  1. 2013

  2. Electron levels and luminescence of dislocation networks formed by the hydrophilic bonding of silicon wafers

    Bondarenko, A. S., Vyvenko, O. F. & Isakov, I. A., 2013, In: Semiconductors. 47, 2, p. 259-263

    Research output: Contribution to journal › Article

  3. Energetic spectra of dislocation networks produced by hydrophilic bonding of silicon wafers

    Kolevatov, I., Trushin, M., Vyvenko, O., Kittler, M. & Kononchuk, O., 2013, In: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 10, 1, p. 20-23

    Research output: Contribution to journal › Article

  4. Impact of hydrogen on electrical levels and luminescence of dislocation network at the interface of hydrophilically bonded silicon wafers

    Loshachenko, A., Bondarenko, A., Vyvenko, O. & Kononchuk, O., 2013, In: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 10, 1, p. 36-39

    Research output: Contribution to journal › Article

  5. Microscopy of carbon steels: Combined AFM and EBSD study

    Ulyanov, P. G., Usachov, D. Y., Fedorov, A. V., Bondarenko, A. S., Senkovskiy, B. V., Vyvenko, O. F., Pushko, S. V., Balizh, K. S., Maltcev, A. A., Borygina, K. I., Dobrotvorskii, A. M. & Adamchuk, V. K., 2013, In: Applied Surface Science. 267, p. 216-218

    Research output: Contribution to journal › Article

  6. Orbital quantization in a system of edge Dirac fermions in nanoperforated graphene

    Latyshev, Y. I., Orlov, A. P., Frolov, A. V., Volkov, V. A., Zagorodnev, I. V., Skuratov, V. A., Petrov, Y. V., Vyvenko, O. F., Ivanov, D. Y., Konczykowski, M. & Monceau, P., 2013, In: JETP Letters. 98, 4, p. 214-218

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  7. Regularities in the formation of dislocation networks on the boundary of bonded Si(001) wafers

    Vdovin, V. I., Ubyivovk, E. V. & Vyvenko, O. F., 2013, In: Semiconductors. 47, 2, p. 264-268

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  8. The electrically active centers in oxygen-implanted silicon

    Loshachenko, A. S., Vyvenko, O. F., Shek, E. I. & Sobolev, N. A., 2013, In: Semiconductors. 47, 2, p. 285-288

    Research output: Contribution to journal › Article

  9. Закономерности образования дислокационных сеток на границе сращенных пластин Si(001)

    Вдовин, В. И., Убыйвовк, Е. В. & Вывенко, О. Ф., 2013, In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 47, 2, p. 228-232

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  10. Орбитальное квантование в системе краевых дираковских фермионов в наноперфорированном графене

    Латышев, Ю. И., Орлов, А. П., Фроловa, А. В., Волковa, В. А., Загороднев, И. В., Скуратов, В. А., Петров, Ю. В., Вывенко, О. Ф., Иванов, Д. Ю., Конзиковски, М. & Монсеау, П., 2013, In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 98, 3-4, p. 242-246

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  11. Электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами кислорода.

    Лошаченко, А. С., Вывенко, О. Ф., Шек, Е. И. & Соболев, Н. А., 2013, In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 47, 2, p. 251-254

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Previous 1...6 7 8 9 10 11 12 13 ...19 Next

ID: 218817