Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si › SPbU Researchers Portal

Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Department of Solid State Physics

DOI

https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.15.51227.18827
Final published version

Н. А. Черкашин
А. В. Сахаров
А.Е. Николаев
В.В. Лундин
С. О. Усов
В.М. Устинов
А.С. Гращенко
Сергей Арсеньевич Кукушкин
Андрей Викторович Осипов
А. Ф. Цацульников

Original language	Russian
Pages (from-to)	15-18
Journal	ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"
Volume	47
Issue number	15
DOIs	https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.15.51227.18827
State	Published - 2021

ID: 89180516