Светодиод на основе AlInGaN гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления › SPbU Researchers Portal

Светодиод на основе AlInGaN гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Department of Solid State Physics

DOI

https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.18.51462.18877
Final published version

К.Л. Марков
Сергей Арсеньевич Кукушкин
И. П. Смирнова
А. С. Павлюченко
Александр Сергеевич Гращенко
Андрей Викторович Осипов
Г. В. Святец
А. Е. Николаев
А. В. Сахаров
Всеволод Владимирович Лундин
А. Ф. Цацульников

Original language	Russian
Pages (from-to)	3-6
Journal	Письма в Журнал технической физики
Volume	47
Issue number	18
DOIs	https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.18.51462.18877
State	Published - 2021

ID: 89125338