21 - 30 out of 103Page size: 10
  1. 2023

  2. Liquid-solid and vapor-solid distributions of vapor-liquid-solid III-V ternary nanowires

    Дубровский, В. Г., 2023, (Accepted/In press) In: Physical Review Materials.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. Modeling of interfacial profile of axial GaAs/ AlAs nanowire heterostructures

    Лещенко, Е. Д. & Дубровский, В. Г., 2023, In: НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ. 16, 1.3, p. 96-100

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  4. Optical loss in microdisk lasers with dense quantum dot arrays

    Zhukov, A. E., Moiseev, E. I., Nadtochiy, A. M., Fominykh, N. A., Ivanov, K. A., Makhov, I. S., Maximov, M. V., Zubov, F. I., Dubrovskii, V. G., Mintairov, S. A., Kalyuzhnyy, N. A. & Gordeev, N. Y., 2023, In: IEEE Journal of Quantum Electronics. 59, 1

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  5. Ultrathin Te-doped GaP nanoantenna with crystal phase transitions

    Дубровский, В. Г., Diak, E., Rimer, T. & LaPierre, R. R., 2023.

    Research output: Contribution to conference › Abstract › peer-review

  6. Влияние поверхностной энергии на рост и состав InxGa1-xAs нитевидных нанокристаллов

    Дубровский, В. Г. & Лещенко, Е. Д., 2023, (Accepted/In press) In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ".

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  7. Кинетика роста наномембран полупроводниковых соединений III-V с учетом потока ре-эмиссии

    Дубровский, В. Г., 2023, In: Письма в Журнал технической физики. 49, 13, p. 25-27

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  8. Лимитирующие факторы скорости роста при эпитаксии полупроводниковых соединений III−V

    Дубровский, В. Г., 2023, In: Письма в Журнал технической физики. 49, 8, p. 39-41

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  9. 2022

  10. Half-disk lasers with active region based on InGaAs/GaAs quantum well-dots

    Zubov, F. I., Moiseev, E. I., Maximov, M. V., Vorobyev, A. A., Mozharov, A. M., Shernyakov, Y. M., Kalyuzhnyy, N. A., Mintairov, S. A., Kulagina, M. M., Dubrovskii, V. G., Kryzhanovskaya, N. V. & Zhukov, A. E., 1 Dec 2022, In: Laser Physics. 32, 12, 5 p., 125802.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  11. Моделирование роста заостренных нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках

    Лещенко, Е. Д. & Дубровский, В. Г., Dec 2022, In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 23, p. 14-17

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  12. Selective area epitaxy of GaAs: the unintuitive role of feature size and pitch

    Dede, D., Glas, F., Piazza, V., Morgan, N., Friedl, M., Güniat, L., Nur Dayi, E., Balgarkashi, A., Dubrovskii, V. G. & Fontcuberta i Morral, A., 26 Nov 2022, In: Nanotechnology. 33, 48, 485604.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Previous 1 2 3 4 5 6 7 8 ...11 Next

ID: 148847