41 - 50 out of 120Page size: 10
  1. 2023

  2. Ultrathin Te-doped GaP nanoantenna with crystal phase transitions

    Дубровский, В. Г., Diak, E., Rimer, T. & LaPierre, R. R., 2023.

    Research output: Contribution to conference › Abstract › peer-review

  3. Влияние поверхностной энергии на рост и состав InxGa1-xAs нитевидных нанокристаллов

    Дубровский, В. Г. & Лещенко, Е. Д., 2023, (Accepted/In press) In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ".

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  4. Кинетика роста наномембран полупроводниковых соединений III-V с учетом потока ре-эмиссии

    Дубровский, В. Г., 2023, In: Письма в Журнал технической физики. 49, 13, p. 25-27

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  5. Лимитирующие факторы скорости роста при эпитаксии полупроводниковых соединений III−V

    Дубровский, В. Г., 2023, In: Письма в Журнал технической физики. 49, 8, p. 39-41

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  6. 2022

  7. Half-disk lasers with active region based on InGaAs/GaAs quantum well-dots

    Zubov, F. I., Moiseev, E. I., Maximov, M. V., Vorobyev, A. A., Mozharov, A. M., Shernyakov, Y. M., Kalyuzhnyy, N. A., Mintairov, S. A., Kulagina, M. M., Dubrovskii, V. G., Kryzhanovskaya, N. V. & Zhukov, A. E., 1 Dec 2022, In: Laser Physics. 32, 12, 5 p., 125802.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  8. Моделирование роста заостренных нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках

    Лещенко, Е. Д. & Дубровский, В. Г., Dec 2022, In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 23, p. 14-17

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  9. Selective area epitaxy of GaAs: the unintuitive role of feature size and pitch

    Dede, D., Glas, F., Piazza, V., Morgan, N., Friedl, M., Güniat, L., Nur Dayi, E., Balgarkashi, A., Dubrovskii, V. G. & Fontcuberta i Morral, A., 26 Nov 2022, In: Nanotechnology. 33, 48, 485604.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  10. Tapering-free monocrystalline Ge nanowires synthesized via plasma-assisted VLS using in and Sn catalysts

    Tang, J., Wang, J., Maurice, J. L., Chen, W., Foldyna, M., Yu, L., Leshchenko, E. D., Dubrovskii, V. G. & Cabarrocas, P. R. I., 1 Oct 2022, In: Nanotechnology. 33, 40, 405602.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  11. Criterion for selective area growth of III-V nanowires

    Дубровский, В. Г., Oct 2022, In: Nanomaterials. 12, 20, 3698.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  12. Selective Area Epitaxy of GaN Nanowires on Si Substrates Using Microsphere Lithography: Experiment and Theory

    Gridchin, V. O., Dvoretckaia, L. N., Kotlyar, K. P., Reznik, R. R., Parfeneva, A. V., Dragunova, A. S., Kryzhanovskaya, N. V., Dubrovskii, V. G. & Cirlin, G. E., 8 Jul 2022, In: Nanomaterials. 12, 14, 2341.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Previous 1 2 3 4 5 6 7 8 ...12 Next

ID: 148847