Standard

Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates. / Лендяшова, Вера Вадимовна; Котляр, Константин Павлович; Цырлин, Георгий Эрнстович; Илькив, Игорь Владимирович; Хребтов, Артем Игоревич.

в: НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ, Том 18, № 3.1, 10.12.2025, стр. 152-155.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

Harvard

Лендяшова, ВВ, Котляр, КП, Цырлин, ГЭ, Илькив, ИВ & Хребтов, АИ 2025, 'Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates', НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ, Том. 18, № 3.1, стр. 152-155. https://doi.org/10.18721/JPM.183.129

APA

Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Цырлин, Г. Э., Илькив, И. В., & Хребтов, А. И. (2025). Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates. НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ, 18(3.1), 152-155. https://doi.org/10.18721/JPM.183.129

Vancouver

Лендяшова ВВ, Котляр КП, Цырлин ГЭ, Илькив ИВ, Хребтов АИ. Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates. НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ. 2025 Дек. 10;18(3.1):152-155. https://doi.org/10.18721/JPM.183.129

Author

Лендяшова, Вера Вадимовна ; Котляр, Константин Павлович ; Цырлин, Георгий Эрнстович ; Илькив, Игорь Владимирович ; Хребтов, Артем Игоревич. / Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates. в: НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ. 2025 ; Том 18, № 3.1. стр. 152-155.

BibTeX

@article{e5672f0732b64d93aabe444559ab88c1,
title = "Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates",
author = "Лендяшова, {Вера Вадимовна} and Котляр, {Константин Павлович} and Цырлин, {Георгий Эрнстович} and Илькив, {Игорь Владимирович} and Хребтов, {Артем Игоревич}",
year = "2025",
month = dec,
day = "10",
doi = "10.18721/JPM.183.129",
language = "English",
volume = "18",
pages = "152--155",
journal = "НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ",
issn = "2304-9782",
publisher = "Издательство Санкт-Петербургского Государственного Политехнического Университета",
number = "3.1",
note = "null ; Conference date: 20-05-2025 Through 23-05-2025",
url = "https://spb.hse.ru/spbopen/",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

AU - Лендяшова, Вера Вадимовна

AU - Котляр, Константин Павлович

AU - Цырлин, Георгий Эрнстович

AU - Илькив, Игорь Владимирович

AU - Хребтов, Артем Игоревич

PY - 2025/12/10

Y1 - 2025/12/10

U2 - 10.18721/JPM.183.129

DO - 10.18721/JPM.183.129

M3 - Conference article

VL - 18

SP - 152

EP - 155

JO - НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ

JF - НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ

SN - 2304-9782

IS - 3.1

Y2 - 20 May 2025 through 23 May 2025

ER -

ID: 141918452