Результаты исследований: Патентование и регистрация прав на ИС › патент
Фоточувствительное устройство и способ его изготовления. / Котляр, Константин Павлович (изобретатель); Кукушкин, Сергей Арсеньевич (изобретатель); Осипов, Андрей Викторович (изобретатель); Резник, Родион Романович (изобретатель); Сошников, Илья Петрович (изобретатель); Цырлин, Георгий Эрнстович (изобретатель).
Номер патента: RU 2685032. июл 26, 2018.Результаты исследований: Патентование и регистрация прав на ИС › патент
}
TY - PAT
T1 - Фоточувствительное устройство и способ его изготовления.
AU - Котляр, Константин Павлович
AU - Кукушкин, Сергей Арсеньевич
AU - Осипов, Андрей Викторович
AU - Резник, Родион Романович
AU - Сошников, Илья Петрович
AU - Цырлин, Георгий Эрнстович
PY - 2018/7/26
Y1 - 2018/7/26
N2 - Группа изобретений относится к технологии устройств твердотельной электроники и может быть использована при разработке фотоприемников видимого и ближнего ИК-диапазона. Фоточувствительное устройство имеет электрод и сформированную на нем фоточувствительную слоистую структуру, содержащую подложку кремния с проводимостью р-типа, имеющую поверхность с кристаллографической ориентацией (111), со сформированным на ней слоем карбида кремния. На слое SiC имеется планаризующий слой диэлектрика из светопропускающего полимера. Планаризующий слой вмещает в себя предварительно синтезированный на слое SiC массив наностержней GaN, ориентированных перпендикулярно подложке, на планаризирующем слое сформирован светопропускающий электрод, который обеспечивает электрический контакт с наностержнями. Слои устройства формируют поэтапно. Вначале на подложке кремния, имеющей поверхность с кристаллографической ориентацией (111), формируют SiC методом замещения атомов с образованием углерод-вакансионных структур, затем на сл
AB - Группа изобретений относится к технологии устройств твердотельной электроники и может быть использована при разработке фотоприемников видимого и ближнего ИК-диапазона. Фоточувствительное устройство имеет электрод и сформированную на нем фоточувствительную слоистую структуру, содержащую подложку кремния с проводимостью р-типа, имеющую поверхность с кристаллографической ориентацией (111), со сформированным на ней слоем карбида кремния. На слое SiC имеется планаризующий слой диэлектрика из светопропускающего полимера. Планаризующий слой вмещает в себя предварительно синтезированный на слое SiC массив наностержней GaN, ориентированных перпендикулярно подложке, на планаризирующем слое сформирован светопропускающий электрод, который обеспечивает электрический контакт с наностержнями. Слои устройства формируют поэтапно. Вначале на подложке кремния, имеющей поверхность с кристаллографической ориентацией (111), формируют SiC методом замещения атомов с образованием углерод-вакансионных структур, затем на сл
M3 - патент
M1 - RU 2685032
ER -
ID: 78532191