121 - 130 из 184Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2009

  2. Dislocation luminescence and electrical properties of dislocation network produced by silicon direct wafer bonding

    Bondarenko, A., Vyvenko, O., Bazlov, N. & Kononchuk, O., 15 дек 2009, в: Physica B: Condensed Matter. 404, 23-24, стр. 4608-4611 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Synchrotron-based investigation of iron precipitation in multicrystalline silicon

    Seifert, W., Vyvenko, O., Arguirov, T., Kittler, M., Salome, M., Seibt, M. & Trushin, M., апр 2009, в: Superlattices and Microstructures. 45, 4-5, стр. 168-176 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Capacitance transient X-ray absorption spectroscopy of semiconducting structures.

    Bazlov, N., Vyvenko, O., Bondarenko, A., Trushin, M., Novikov, A., Vinogradov, A., Brzhezinskaya, M. & Ovsyannikov, R., 2009, в: Superlattices and Microstructures. 45, 4-5, стр. 190-199

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  5. Combined XBIC/μ-XRF/μ-XAS/DLTS investigation of chemical character and electrical properties of Cu and Ni precipitates in silicon

    Trushin, M., Vyvenko, O., Seifert, W., Kittler, M., Zizak, I., Erko, A., Seibt, M. & Rudolf, C., 2009, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 6, 8, стр. 1868-1873

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  6. Electronic states of oxygen-free dislocation networks produced by direct bonding of silicon wafers

    Trushin, M., Vyvenko, O., Mchedlidze, T., Kononchuk, O. & Kittler, M., 2009, в: Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. 156-158, стр. 283-288

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  7. Experimental determination of dead layer thickness for excitons in a wide GaAs/AlGaAs quantum well

    Uby vovk, E. V., Loginov, D. K., Gerlovin, I. Y., Dolgikh, Y. K., Efimov, Y. P., Eliseev, S. A., Petrov, V. V., Vyvenko, O. F., Sitnikova, A. A. & Kirilenko, D. A., 2009, в: Physics of the Solid State. 51, 9, стр. 1929-1934

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  8. Iron-oxygen interaction in silicon: A combined XBIC/XRF-EBIC-DLTS study of precipitation and complex building

    Trushin, M., Vyvenko, O., Seifert, W., Jia, G. & Kittler, M., 2009, в: Physica B: Condensed Matter. 404, 23-24, стр. 4645-4648

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  9. LIGHT-INDUCED NONCOVALENT FIXATION OF DNA AND SYNTHETIC POLYIONS ON THE SURFACE OF SILICON SINGLE CRYSTALS

    Volkov, I. L., Bazlov, N. V., Bondarenko, A. S., Vyvenko, O. F. & Kas'yanenko, N. A., 2009, в: Journal of Structural Chemistry. 50, 5, 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  10. Minority carrier conductive channel formed at a direct silicon-bonded interfacial grain boundary

    Yu, X., Seifert, W., Vyvenko, O. & Kittler, M., 2009, в: Scripta Materialia. 61, 8, стр. 828-831

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  11. Optical properties of GaAs nanowires studied by low temperature photoluminescence

    Novikov, B. V., A.Yu., S., Filosofov, N. G., Shtrom, I. V., Talalaev, V. G., Vyvenko, O. F., Ubyivovk, E. V., Samsonenko, Y. B., Bouravleuv, A. D., Soshnikov, I. P., Sibirev, N. V., Dubrovskii, V. G. & Cirlin, G. E., 2009, 17th International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology: proceedings. Minsk: ФТИ им.Иоффе, стр. 186-187

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная

Назад 1...9 10 11 12 13 14 15 16 ...19 Далее

ID: 218817