151 - 160 из 194Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2007

  2. Regular dislocation networks in silicon as a tool for nanostructure devices used in optics, biology, and electronics

    Kittler, M., Mchedlidze, T., Arguirov, T., Vyvenko, O. F., Seifert, W., Reiche, M., Wilhelm, T. & Seibt, M., июн 2007, в: Small. 3, 6, стр. 964-973 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Combined CL/EBIC/DLTS investigation of a regular dislocation network formed by Si wafer direct bonding

    Yu, X., Vyvenko, O., Kittler, M., Seifert, W., Mitchedlidze, T., Arguirov, T. & Reiche, M., 2007, в: Semiconductors. 41, 4, стр. 458-461

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  4. Electrical levels of nanoscale NiSi2 precipitates in silicon band gap

    Trushin, M. V. & Vyvenko, O. F., 2007, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 4, 8, стр. 3056-3060 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  5. Impact of NiSi2 Precipitates Electronic Structure on the Minority Carrier Lifetime in n-and p-Type Silicon

    Trushin, M. V., Vyvenko, O. F. & Michael, S., 2007, в: Solid State Phenomena. 131-133, стр. 155-160

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  6. Luminescence of dislocation network in directly bonded silicon wafers

    Yu, X., Kittler, M., Vyvenko, O. F., Seifert, W., Arguirov, T., Wilhelm, T. & Reiche, M., 2007, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 4, 8, стр. 3025-3029 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  7. Scanning probe studies of the electrical activity at interfaces formed by silicon wafer direct bonding

    Ratzke, M., Vyvenko, O., Yu, X., Reif, J., Kittler, M. & Reiche, M., 2007, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 4, 8, стр. 2893-2897 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  8. 2006

  9. Self-organized pattern formation of biomolecules at silicon surfaces: Intended application of a dislocation network

    Kittler, M., Vyvenko, O. F., Seifert, W., Reiche, M., Wilhelm, T., Arguirov, T. & Seibt, M., июл 2006, в: Materials Science and Engineering C. 26, 5-7, стр. 902-910 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. 1.5 μ-m emission from a silicon MOS-LED based on a dislocation network

    Kittler, M., Arguirov, T., Vyvenko, O. F., Seifert, W., Mchedlidze, T., Jia, G. & Wilhelm, T., 2006, 2006 International Electron Devices Meeting Technical Digest, IEDM. 4154347. (Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › Рецензирование

  11. Regular dislocation networks in silicon as a tool for novel device application

    Kittler, M., Reiche, M., Seifert, W., Arguirov, T., Vyvenko, O. F., Mchedlidze, T. & Wilhelm, T., 2006, в: ECS Transactions. 3, 4, стр. 429-450 22 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  12. 2005

  13. Capacitance response due to recharging of extended defects attached to the edge of the space charge region of the Schottky diode

    Vyvenko, O., 2005, в: Physica Status Solidi C: Conferences. 2, 6, стр. 1917-1923 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...12 13 14 15 16 17 18 19 20 Далее

ID: 218817