Результаты

  1. Trigonal pseudomorphism of κ-Ga2O3 grown on c-sapphire by HVPE

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Исследования глубоких состояний в поверхностно-барьерном детекторе N3-21 на основе широкозонного полупроводника SiC (март 2025 г. - рабочие материалы)

    Результаты исследований: Рабочие материалы › рабочие материалы

  3. Фотоэлектрические свойства диодной структуры Au/GaO/GaN/sapphire – образец GO-1008 (рабочие материалы, январь – март 2025 г.)

    Результаты исследований: Рабочие материалы › рабочие материалы

Просмотреть все (34) »

Проекты

  1. Структура, рекомбинационные и электрические свойства ультраширокозонных полупроводников

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение гранта/договора в целом

Просмотреть все () »

Деятельность

  1. Варыгин Г.В., Базлов Н.В., Вывенко О.Ф., Шапенков С.В., Николаев В.И. Электрические свойства к-фазы Ga2O3

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

Просмотреть все (1) »

ID: 147004