91 - 100 из 185Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2013

  2. Dislocation luminescence in highly doped degenerated germanium at room temperature

    Arguirov, T., Vyvenko, O., Oehme, M., Schulze, J. & Kittler, M., 2013, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 10, 1, стр. 56-59

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  3. Electron levels and luminescence of dislocation networks formed by the hydrophilic bonding of silicon wafers

    Bondarenko, A. S., Vyvenko, O. F. & Isakov, I. A., 2013, в: Semiconductors. 47, 2, стр. 259-263

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  4. Energetic spectra of dislocation networks produced by hydrophilic bonding of silicon wafers

    Kolevatov, I., Trushin, M., Vyvenko, O., Kittler, M. & Kononchuk, O., 2013, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 10, 1, стр. 20-23

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  5. Impact of hydrogen on electrical levels and luminescence of dislocation network at the interface of hydrophilically bonded silicon wafers

    Loshachenko, A., Bondarenko, A., Vyvenko, O. & Kononchuk, O., 2013, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 10, 1, стр. 36-39

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  6. Microscopy of carbon steels: Combined AFM and EBSD study

    Ulyanov, P. G., Usachov, D. Y., Fedorov, A. V., Bondarenko, A. S., Senkovskiy, B. V., Vyvenko, O. F., Pushko, S. V., Balizh, K. S., Maltcev, A. A., Borygina, K. I., Dobrotvorskii, A. M. & Adamchuk, V. K., 2013, в: Applied Surface Science. 267, стр. 216-218

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  7. Orbital quantization in a system of edge Dirac fermions in nanoperforated graphene

    Latyshev, Y. I., Orlov, A. P., Frolov, A. V., Volkov, V. A., Zagorodnev, I. V., Skuratov, V. A., Petrov, Y. V., Vyvenko, O. F., Ivanov, D. Y., Konczykowski, M. & Monceau, P., 2013, в: JETP Letters. 98, 4, стр. 214-218

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Regularities in the formation of dislocation networks on the boundary of bonded Si(001) wafers

    Vdovin, V. I., Ubyivovk, E. V. & Vyvenko, O. F., 2013, в: Semiconductors. 47, 2, стр. 264-268

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. The electrically active centers in oxygen-implanted silicon

    Loshachenko, A. S., Vyvenko, O. F., Shek, E. I. & Sobolev, N. A., 2013, в: Semiconductors. 47, 2, стр. 285-288

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  10. Закономерности образования дислокационных сеток на границе сращенных пластин Si(001)

    Вдовин, В. И., Убыйвовк, Е. В. & Вывенко, О. Ф., 2013, в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 47, 2, стр. 228-232

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Орбитальное квантование в системе краевых дираковских фермионов в наноперфорированном графене

    Латышев, Ю. И., Орлов, А. П., Фроловa, А. В., Волковa, В. А., Загороднев, И. В., Скуратов, В. А., Петров, Ю. В., Вывенко, О. Ф., Иванов, Д. Ю., Конзиковски, М. & Монсеау, П., 2013, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 98, 3-4, стр. 242-246

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...6 7 8 9 10 11 12 13 ...19 Далее

ID: 218817