111 - 120 из 192Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2012

  2. Кафедра электроники твёрдого тела в Санкт-Петербургском униерситете: К 80-летию кафедры

    Адамчук, В. К., Артамонов, О. М., Барабан, А. П., Виноградов, А. С., Владимиров, Г. Г., Вывенко, О. Ф., Габис, И. Е., Комолов, А. С., Комолов, С. А., Коноров, П. П., Павлычев, А. А., Филатова, Е. О., Шикин, А. М., Шулаков, А. С. & Яфясов, А. М., 2012, Издательство Санкт-Петербургского университета. 277 стр.

    Результаты исследований: Книги, отчёты, сборники › сборник › Рецензирование

  3. 2011

  4. DNA immobilization on n-type silicon surface and electrophysical properties of Au-DNA-(n-Si) structures1

    Sokolov, P. A., Bazlov, N. V., Puchkova, A. O., Vyvenko, O. F. & Kasyanenko, N. A., сен 2011, в: Protection of Metals and Physical Chemistry of Surfaces. 47, 5, стр. 566-571 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Correlation between cathodoluminescent and electrical properties of dislocation network in the space charge region of Schottky-diode

    Bondarenko, A., Vyvenko, O., Isakov, I. & Kononchuk, O., 2011, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 8, 4, стр. 1273-1277

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  6. Dislocation structure, electrical and luminescent properties of hydrophilically bonded silicon wafer interface

    Bondarenko, A., Vyvenko, O., Kolevatov, I., Isakov, I. & Kononchuk, O., 2011, в: Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. 178-179, стр. 233-242

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  7. DNA Immobilization on n-Type Silicon Surface and Electrophysical Properties of Au/DNA/(n-Si) Structures

    Sokolov, P. A., Bazlov, N. V., Puchkova, A. O., Vyvenko, O. F. & Kasyanenko, N. A., 2011, в: Protection of Metals and Physical Chemistry of Surfaces. 47, 5, стр. 566–571

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Electrical characterization of silicon wafer bonding interfaces by means of voltage dependent light beam and electron beam induced current and capacitance of Schottky diodes

    Trushin, M., Vyvenko, O., Mchedlidze, T., Reiche, M. & Kittler, M., 2011, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 8, 4, стр. 1371-1376

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  9. Electrical levels of dislocation networks in p- and n-type Si

    Isakov, I., Bondarenko, A., Vyvenko, O., Vdovin, V., Ubyivovk, E. & Kononchuk, O., 2011, в: Journal of Physics: Conference Series. 281, 1, стр. 012010_1-10

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Giant Poole-Frenkel effect for the shallow dislocation-related hole traps in silicon

    Trushin, M., Vyvenko, O., Vdovin, V. & Kittler, M., 2011, в: Journal of Physics: Conference Series. 281, 1, стр. 012009_1-10

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Identification of dislocation-related luminescence participating levels in silicon by DLTS and Pulsed-CL profiling

    Bondarenko, A., Vyvenko, O. & Isakov, I., 2011, в: Journal of Physics: Conference Series. 281, 1, стр. 012008

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Mechanisms of dislocation network formation in Si(001) hydrophilic bonded wafers

    Vdovin, V., Vyvenko, O., Ubyivovk, E. & Kononchuk, O., 2011, в: Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. 178-179, стр. 253-258

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

Назад 1...8 9 10 11 12 13 14 15 ...20 Далее

ID: 218817