1. 2018
  2. Luminescence of ZnMnTe/ZnMgTe Heterostructures with Monolayer Manganese Inclusions in ZnTe Quantum Wells and Its Behavior in a Magnetic Field

    Shtrom, I. V., Agekyan, V. F., Serov, A. Y., Filosofov, N. G., Akhmadullin, R. R., Krizhkov, D. E. & Karczewski, G., 2018, в: Semiconductors. 52, 4, стр. 514-518 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy ∗

    Штром, И. В., Сибирёв, Н. В., Убыйвовк, Е. В., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Резник, Р. Р., Буравлев, А. Д. & Цирлин, Г., 2018, в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 52, 1

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом

    Сибирёв, Н. В., Корякин, А. А., Штром, И. В., Убыйвовк, Е. В., Сошников, И. П., Резник, Р. Р., Буравлев, А. Д. & Цирлин, Г., 2018, в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 52, 12

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. 2017
  6. The dependence of the wavelength on MBE growth parameters of GaAs quantum dot in AlGaAs NWs on Si (111) substrate

    Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Samsonenko, Y. B., Khrebtov, A. I., Soshnikov, I. P. & Cirlin, G. E., 27 ноя 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 929, 1, 012047.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья в журнале по материалам конференцииРецензирование

  7. AlGaAs and AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates

    Cirlin, G. E., Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Khrebtov, A. I., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Leandro, L., Kasama, T. & Akopian, N., 8 ноя 2017, в: Journal of Physics D: Applied Physics. 50, 48, 484003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Shtrom, I. V., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Cirlin, G. E., 1 ноя 2017, в: Semiconductors. 51, 11, стр. 1472-1476 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. MBE growth of nanowires using colloidal Ag nanoparticles

    Bouravleuv, A. D., Ilkiv, I. V., Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Khrebtov, A. I., Samsonenko, Y. B., Soshnikov, I. P., Cirlin, G. E. & Lipsanen, H., 15 авг 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 012010.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья в журнале по материалам конференцииРецензирование

  10. 2016
  11. Origin of Spontaneous Core-Shell AlGaAs Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy

    Dubrovskii, V. G., Shtrom, I. V., Reznik, R. R., Samsonenko, Y. B., Khrebtov, A. I., Soshnikov, I. P., Rouvimov, S., Akopian, N., Kasama, T. & Cirlin, G. E., 7 дек 2016, в: Crystal Growth and Design. 16, 12, стр. 7251-7255 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  12. Fabrication of the structures with autocatalytic CdTe nanowires using magnetron sputtering deposition

    Soshnikov, I. P., Semenov, A. A., Belyavskii, P. Y., Shtrom, I. V., Kotlyar, K. P., Lysak, V. V., Kudryashov, D. A., Pavlov, S. I., Nashchekin, A. V. & Cirlin, G. E., 1 дек 2016, в: Physics of the Solid State. 58, 12, стр. 2401-2405 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  13. Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN

    Shtrom, I. V., Bouravleuv, A. D., Samsonenko, Y. B., Khrebtov, A. I., Soshnikov, I. P., Reznik, R. R., Cirlin, G. E., Dhaka, V., Perros, A. & Lipsanen, H., 1 дек 2016, в: Semiconductors. 50, 12, стр. 1619-1621 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 206468