Изучена роль EL2-центров в формировании фотоотклика ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlxGa1-xAs (x = 0.3) n-типа, выращенных с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке p-типа. Обнаружено значительное уменьшение времени восстановления фотоотклика нитевидных нанокристаллов по сравнению с таковым для объемного кристалла при переходе EL2-центра из нефотоактивного в основное состояние. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, нитевидные нанокристаллы, фотоэлектрические свойства, дефекты, арсенид галлия, кремний.