1. 2016
  2. Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN

    Shtrom, I. V., Bouravleuv, A. D., Samsonenko, Y. B., Khrebtov, A. I., Soshnikov, I. P., Reznik, R. R., Cirlin, G. E., Dhaka, V., Perros, A. & Lipsanen, H., 1 дек 2016, в: Semiconductors. 50, 12, стр. 1619-1621 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Hybrid AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires with a quantum dot grown by molecular beam epitaxy on silicon

    Cirlin, G. E., Shtrom, I. V., Reznik, R. R., Samsonenko, Y. B., Khrebtov, A. I., Bouravleuv, A. D. & Soshnikov, I. P., 1 ноя 2016, в: Semiconductors. 50, 11, стр. 1421-1424 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Optical properties of ZnTe epilayers with submonolayer planar narrow gap inclusions

    Agekian, V. F., Filosofov, N. G., Serov, A. Y., Shtrom, I. V. & Karczewski, G., 17 июн 2016, State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2016: Proceedings of the 5th International Conference "State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects". Vyvenko, O. (ред.). American Institute of Physics, 5 стр. 050008. (AIP Conference Proceedings; том 1748).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференцииРецензирование

  5. Optical properties of zinc telluride with cadmium telluride submonolayers

    Agekyan, V. F., Serov, A. Y., Filosofov, N. G., Shtrom, I. V. & Karczewski, G., 2016, в: Physics of the Solid State. 58, 10, стр. 2109-2112

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  6. Temperature quenching of intracenter luminescence of Mn2+ ions in diluted magnetic semiconductors

    Agekyan, V. F., Serov, A. Y., Filosofov, N. G., Shtrom, I. V. & Karczewski, G., 2016, в: Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya). 121, 4, стр. 507-510

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Оптические свойства теллурида цинка с субмонослоями теллурида кадмия

    Агекян, В. Ф., Серов, А. Ю., Философов, Н. Г., Штром, И. В. & Karczewski, G., 2016, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 58, 10, стр. 2034-2037

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Температурное тушение внутрицентровой люминесценции ионов Mn2+ в разбавленных магнитных полупроводниках

    Агекян, В. Ф., Серов, А. Ю., Философов, Н. Г., Штром, И. В. & Karczewski, G., 2016, в: ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ. 121, 4, стр. 558-561

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. 2015
  10. Фотоэлектрические свойства массива аксиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs

    Григорьева, Н. Р., Штром, И. В., Григорьев, Р. В., Новиков, Б. В., Сошников, И. П., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Буравлев, А. Д. & Цирлин, Г. Е., 12 мая 2015, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 41, 9, стр. 71-79 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. «MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime»

    Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Samsonenko, Y. B., Khrebtov, A. I., Bourauvlev, A. D., Soshnikov, I. P., Kryzhanovskaya, N. V. & Cirlin, G. E., 2015, «MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime». стр. 012003

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференцииРецензирование

  12. Photoelectric properties of an array of axial GaAs/AlGaAs nanowires

    Grigor’ev, R. V., Shtrom, I. V., Grigor’eva, N. R., Novikov, B. V., Soshnikov, I. P., Samsonenko, Y. B., Khrebtov, A. I., Buravleuv, A. D. & Cirlin, G. E., 2015, в: Technical Physics Letters. 41, 5, стр. 443-447

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

ID: 206468