Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Abstract: We have studied the role of EL2 centers in formation of the photoelectric response of an array of radial n-type GaAs/AlxGa1 – xAs (x = 0.3) nanowires (NWs) grown by molecular beam epitaxy on a p-type silicon substrate. Results revealed a significant decrease in the time of NW photoresponse recovery as compared to that in a bulk crystal upon the transition of EL2 centers from a metastable nonactive state to the normal ground state.
Язык оригинала | английский |
---|---|
Страницы (с-по) | 835-838 |
Число страниц | 4 |
Журнал | Technical Physics Letters |
Том | 45 |
Номер выпуска | 8 |
DOI | |
Состояние | Опубликовано - 1 авг 2019 |
ID: 51896054