1. 2024
  2. МЕХАНИЗМ РОСТА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ GA2O3 МЕТОДОМ ХЛОРИД-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ НА ПОДЛОЖКЕ SIC/SI (110)

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Убыйвовк, Е. В., Осипова, Е. В. & Шарофидинов, Ш. Ш., 2024, (Принято в печать) в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Эволюция структуры при превращении Si в SiC методом самосогласованного замещения атомов

    Кукушкин, С. А., Воробьёв, М. Г., Осипов, А. В., Гращенко, А. С. & Убыйвовк, Е. В., 2024, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 66, 7, стр. 1133-1143

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. 2023
  5. Новый метод релаксации упругих напряжений при росте гетероэпитаксиальных пленок

    Корякин, А. А., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Щеглов, М. П., 2023, в: ИЗВЕСТИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК. МЕХАНИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 3, стр. 58-72

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

    Кондратенко, Т. Т., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Убыйвовк, Е. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Кукушкин, С. А., 2023, в: Письма в ЖурналТехнической Физики. 49, 11, стр. 3-8

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. 2022
  8. Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Стожаров, В. М., Убыйвовк, Е. В. & Шарофидинов, Ш. Ш., 2022, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 4, стр. 24-28

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. 2021
  10. Method for the modification of graphite subsurface layer to a solid mixture of SiC and graphite

    Grashchenko, A. S., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Redkov, A. V., 2021, в: Journal of Physics: Conference Series. 2086, 012012.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si

    Черкашин, Н. А., Сахаров, А. В., Николаев, А. Е., Лундин, В. В., Усов, С. О., Устинов, В. М., Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В. & Цацульников, А. Ф., 2021, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 47, 15, стр. 15-18

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  12. Светодиод на основе AlInGaN гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления

    Марков, К. Л., Кукушкин, С. А., Смирнова, И. П., Павлюченко, А. С., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Святец, Г. В., Николаев, А. Е., Сахаров, А. В., Лундин, В. В. & Цацульников, А. Ф., 2021, в: Письма в Журнал технической физики. 47, 18, стр. 3-6

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  13. Термодинамическая стабильность твердых растворов InxGa1-xN

    Кукушкин, С. А. & Осипов, А. В., 2021, в: Письма в Журнал технической физики. 47, 19, стр. 51-54

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  14. Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитакси

    Илькив, И. В., Котляр, К. П., Кириленко, Д. А., Осипов, А. В., Сошников, И. П., Теплицкий, А. Н. & Цырлин, Г. Э., 2021, в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 8, стр. 621-624

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 70430127