1 - 10 из 11Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2023

  2. Новый метод релаксации упругих напряжений при росте гетероэпитаксиальных пленок

    Корякин, А. А., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Щеглов, М. П., 2023, в: ИЗВЕСТИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК. МЕХАНИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 3, стр. 58-72

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

    Кондратенко, Т. Т., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Убыйвовк, Е. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Кукушкин, С. А., 2023, в: Письма в ЖурналТехнической Физики. 49, 11, стр. 3-8

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. 2022

  5. Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Стожаров, В. М., Убыйвовк, Е. В. & Шарофидинов, Ш. Ш., 2022, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 4, стр. 24-28

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. 2021

  7. Method for the modification of graphite subsurface layer to a solid mixture of SiC and graphite

    Grashchenko, A. S., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Redkov, A. V., 2021, в: Journal of Physics: Conference Series. 2086, 012012.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si

    Черкашин, Н. А., Сахаров, А. В., Николаев, А. Е., Лундин, В. В., Усов, С. О., Устинов, В. М., Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В. & Цацульников, А. Ф., 2021, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 47, 15, стр. 15-18

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Светодиод на основе AlInGaN гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления

    Марков, К. Л., Кукушкин, С. А., Смирнова, И. П., Павлюченко, А. С., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Святец, Г. В., Николаев, А. Е., Сахаров, А. В., Лундин, В. В. & Цацульников, А. Ф., 2021, в: Письма в Журнал технической физики. 47, 18, стр. 3-6

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Термодинамическая стабильность твердых растворов InxGa1-xN

    Кукушкин, С. А. & Осипов, А. В., 2021, в: Письма в Журнал технической физики. 47, 19, стр. 51-54

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитакси

    Илькив, И. В., Котляр, К. П., Кириленко, Д. А., Осипов, А. В., Сошников, И. П., Теплицкий, А. Н. & Цырлин, Г. Э., 2021, в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 8, стр. 621-624

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. 2019

  13. The use of SiC/Si hybrid substrate for MBE growth of thick GaN layers

    Reznik, R., Soshnikov, I., Kukushkin, S., Osipov, A., Talalaev, V. & Cirlin, G., 15 янв 2019, State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2018. Petrov, Y. & Vyvenko, O. (ред.). American Institute of Physics, 040004. (AIP Conference Proceedings; том 2064).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  14. 2018

  15. Фоточувствительное устройство и способ его изготовления.

    Котляр, К. П., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Резник, Р. Р., Сошников, И. П. & Цырлин, Г. Э., 26 июл 2018, Патент № RU 2685032

    Результаты исследований: Патентование и регистрация прав на ИС › патент

Назад 1 2 Далее

ID: 70430127