1 - 10 out of 11Page size: 10
  1. 2023

  2. Новый метод релаксации упругих напряжений при росте гетероэпитаксиальных пленок

    Корякин, А. А., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Щеглов, М. П., 2023, In: ИЗВЕСТИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК. МЕХАНИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 3, p. 58-72

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

    Кондратенко, Т. Т., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Убыйвовк, Е. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Кукушкин, С. А., 2023, In: Письма в ЖурналТехнической Физики. 49, 11, p. 3-8

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  4. 2022

  5. Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Стожаров, В. М., Убыйвовк, Е. В. & Шарофидинов, Ш. Ш., 2022, In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 4, p. 24-28

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  6. 2021

  7. Method for the modification of graphite subsurface layer to a solid mixture of SiC and graphite

    Grashchenko, A. S., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Redkov, A. V., 2021, In: Journal of Physics: Conference Series. 2086, 012012.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  8. Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si

    Черкашин, Н. А., Сахаров, А. В., Николаев, А. Е., Лундин, В. В., Усов, С. О., Устинов, В. М., Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В. & Цацульников, А. Ф., 2021, In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 47, 15, p. 15-18

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  9. Светодиод на основе AlInGaN гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления

    Марков, К. Л., Кукушкин, С. А., Смирнова, И. П., Павлюченко, А. С., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Святец, Г. В., Николаев, А. Е., Сахаров, А. В., Лундин, В. В. & Цацульников, А. Ф., 2021, In: Письма в Журнал технической физики. 47, 18, p. 3-6

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  10. Термодинамическая стабильность твердых растворов InxGa1-xN

    Кукушкин, С. А. & Осипов, А. В., 2021, In: Письма в Журнал технической физики. 47, 19, p. 51-54

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  11. Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитакси

    Илькив, И. В., Котляр, К. П., Кириленко, Д. А., Осипов, А. В., Сошников, И. П., Теплицкий, А. Н. & Цырлин, Г. Э., 2021, In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 8, p. 621-624

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  12. 2019

  13. The use of SiC/Si hybrid substrate for MBE growth of thick GaN layers

    Reznik, R., Soshnikov, I., Kukushkin, S., Osipov, A., Talalaev, V. & Cirlin, G., 15 Jan 2019, State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2018. Petrov, Y. & Vyvenko, O. (eds.). American Institute of Physics, 040004. (AIP Conference Proceedings; vol. 2064).

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › Research › peer-review

  14. 2018

  15. Фоточувствительное устройство и способ его изготовления.

    Котляр, К. П., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Резник, Р. Р., Сошников, И. П. & Цырлин, Г. Э., 26 Jul 2018, Patent No. RU 2685032

    Research output: Patenting and IP registration › Patent

Previous 1 2 Next

ID: 70430127