671 - 680 из 1 299Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2017

  2. Temperature dependence of the optical transitions of PbS quantum dots in silicate glasses

    Litvyak, V. M., Cherbunin, R. V. & Onushchenko, A. A., 1 дек 2017, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 81, 12, стр. 1490-1492 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Оптические свойства объемных монокристаллов нитрида галлия, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

    Серов, А. Ю., Агекян, В. Ф., Философов, Н. Г. & Борисов, Е. В., 1 дек 2017, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 59, 12, стр. 2392-2395 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Динамический сдвиг линий ЯМР в наноструктурированном расплаве Ga−In−Sn

    Усков, А. В., Нефедов, Д. Ю., Чарная, Е. В., Подорожкин, Д. Ю., Антоненко, А. О., Haase, J., Michel, D., Lee, M. K., Chang, L. J., Кумзеров, Ю. А., Фокин, А. В. & Бугаев, А. С., дек 2017, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 59, 12, стр. 2452-2456 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Исследования топологического изолятора Bi2Te3 методом ЯМР в широком температурном диапазоне

    Антоненко, А. О., Чарная, Е. В., Нефедов, Д. Ю., Подорожкин, Д. Ю., Усков, А. В., Бугаев, А. С., M.K., L., Chang, L. J., Наумов, С. В., Перевозчикова, Ю. А., Чистяков, В. В., Huang, J. C. A. & Марченков, В. В., дек 2017, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 59, 12, стр. 2308-2316 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. The dependence of the wavelength on MBE growth parameters of GaAs quantum dot in AlGaAs NWs on Si (111) substrate

    Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Samsonenko, Y. B., Khrebtov, A. I., Soshnikov, I. P. & Cirlin, G. E., 27 ноя 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 929, 1, 012047.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  7. MBE growth and optical properties of GaN layers on SiC/Si(111) hybrid substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V., Nikitina, E. V. & Cirlin, G. E., 23 ноя 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 917, 3, 032014.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  8. MBE growth of GaAs and InAs nanowires using colloidal Ag nanoparticles

    Ilkiv, I. V., Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Bouravleuv, A. D. & Cirlin, G. E., 23 ноя 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 917, 3, 032035.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  9. Modeling of semiconductor nanowire selective-area MOCVD growth

    Koriakin, A. A., Reiter, M., Sokolova, Z. V. & Sibirev, N. V., 23 ноя 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 917, 3, 032036.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. AlGaAs and AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates

    Cirlin, G. E., Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Khrebtov, A. I., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Leandro, L., Kasama, T. & Akopian, N., 8 ноя 2017, в: Journal of Physics D: Applied Physics. 50, 48, 484003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Shtrom, I. V., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Cirlin, G. E., 1 ноя 2017, в: Semiconductors. 51, 11, стр. 1472-1476 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...64 65 66 67 68 69 70 71 ...130 Далее

ID: 31015