Кристалл нитрида галлия толщиной 5mm был выращен методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на сапфировой подложке, от которой кристалл отделился в процессе остывания. На ранней стадии был реализован трехмерный режим роста с последующей сменой на двумерный режим. В нескольких характерных областях образца исследованы спектры экситонного отражения, экситонной люминесценции
и рамановского рассеяния. Анализ этих спектров и сравнение с ранее полученными данными для тонких эпитаксиальных слоев GaN с широким диапазоном легирования кремнием позволили сделать выводы о качестве кристаллической решетки в этих характерных областях образца.
Работа выполнена в рамках инициативной темы СПбГУ № 11.52.454.2016, для исследования спектров рамановского рассеяния использовалось оборудование Ресурсного центра СПбГУ” Оптические и лазерные методы исследования вещества“.