1. 2018
  2. MBE growth of thin AlGaAs nanowires with a complex structure on strongly mismatched SiC/Si(111) substrate

    Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Zeze, D. A. & Cirlin, G. E., 18 июн 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 1038, 1, 012063.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья в журнале по материалам конференцииРецензирование

  3. 77Se low-temperature NMR in the Bi2Se3 single crystalline topological insulator

    Antonenko, A. O., Nefedov, D. Y., Charnaya, E. V., Naumov, S. V. & Marchenkov, V. V., 1 июн 2018, в: Applied Magnetic Resonance. 49, 6, стр. 599-605 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Optical Spectra of GaSe and GaS Crystals of Different Thicknesses

    Агекян, В. Ф., Серов, А. Ю. & Философов, Н. Г., июн 2018, в: Physics of the Solid State. 60, 6, стр. 1223-1225 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Third order nonlinear optical properties of a paratellurite single crystal

    Смирнов, М. Б., Duclere, J-R., Рогинский, Е., Mirgorodskii, A., Couderc, V., Masson, O., Colas, M., Nogera, O., Thomas, P. & Hayakawa, T., 14 мая 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 18, стр. 183105 6 стр., 183105.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. MBE growth and Structural Properties of InAs and InGaAs Nanowires with Different Mole Fraction of In on Si and Strongly Mismatched SiC/Si(111) Substrates

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Cirlin, G. E., 1 мая 2018, в: Semiconductors. 52, 5, стр. 651-653 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Optical Properties of GaN Nanowires Grown by MBE on SiC/Si(111) Hybrid Substrate

    Штром, И. В., Философов, Н. Г., Агекян, В. Ф., Смирнов, М. Б., Серов, А. Ю., Резник, Р., Кудрявцев, К. & Цирлин, Г., 1 мая 2018, в: Semiconductors. 52, 5, стр. 602-604 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Spin-lattice relaxation of optically polarized nuclei in p -type GaAs

    Kotur, M., Dzhioev, R. I., Cherbunin, R. V., Sokolov, P. S., Yakovlev, D. R., Bayer, M., Suter, D., Kavokin, K. V. & Vladimirova, M., 24 апр 2018, в: Physical Review B. 97, 16, 8 стр., 165206.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Hybrid GaAs/AlGaAs Nanowire—Quantum dot System for Single Photon Sources

    Cirlin, G. E., Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Khrebtov, A. I., Samsonenko, Y. B., Kukushkin, S. A., Kasama, T., Akopian, N. & Leonardo, L., 1 апр 2018, в: Semiconductors. 52, 4, стр. 462-464 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Photon Echo from an Ensemble of (In,Ga)As Quantum Dots

    Babenko, I. A., Yugova, I. A., Poltavtsev, S. V., Salewski, M., Akimov, I. A., Kamp, M., Höfling, S., Yakovlev, D. R. & Bayer, M., 1 апр 2018, в: Semiconductors. 52, 4, стр. 531-534 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Impact of nanoconfinement on the diisopropylammonium chloride (C6H16ClN) organic ferroelectric

    Baryshnikov, S. V., Charnaya, E. V., Milinskiy, A. Y., Parfenov, V. A. & Egorova, I. V., 4 мар 2018, в: Phase Transitions. 91, 3, стр. 293-300 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 31015