DOI

The aim of this work is to demonstrate the fundamental possibility of Si-doped GaN nanowires growth on the buffer layer of silicon carbide on silicon substrate and to investigate the optical characteristics of this structures.
Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)602-604
Число страниц3
ЖурналSemiconductors
Том52
Номер выпуска5
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 мая 2018

    Предметные области Scopus

  • Физика конденсатов

ID: 24071901