51 - 60 out of 194Page size: 10
  1. 2020

  2. Peculiarities of electron emission from high-density deep levels of nanodefects in oxygen-implanted silicon

    Danilov, D. V., Vyvenko, O. F., Loshachenko, A. S. & Sobolev, N. A., 25 Mar 2020, In: Journal of Physics: Conference Series. 1482, 1, 012003.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  3. Ионно-индуцированные дефекты в гексагональном нитриде бора

    Гогина, О. А., Петров, Ю. В., Вывенко, О. Ф., Шаров, Т. В., Bolotin, K. & Kovalchuk, S., 10 Mar 2020, Нанофизика и наноэлектроника: Труды XXIV Международного симпозиума. В 2 т.. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Vol. 1. p. 344-345

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › Research

  4. Эффекты накопления заряда при облучении ионным пучком

    Петров, Ю. В., Аникьева, А. Э., Григорьев, Е. А., Барабан, А. П. & Вывенко, О. Ф., 10 Mar 2020, Нанофизика и наноэлектроника: Труды XXIV Международного симпозиума: в 2 т.. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Vol. 1. p. 390-391

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › Research

  5. Эффекты накопления заряда в диэлектриках при исследовании методами сканирующей ионной микроскопии

    Петров, Ю. В., Аникьева, А. Э., Григорьев, Е. А., Барабан, А. П. & Вывенко, О. Ф., 2020, p. 129-130. 2 p.

    Research output: Contribution to conference › Abstract › peer-review

  6. 2019

  7. HVPE growth of α-and ϵ-Ga2O3 on patterned sapphire substrates

    Nikolaev, V. I., Pechnikov, A. I., Nikolaev, V. V., Scheglov, M. P., Chikiryaka, A. V., Stepanov, S. I., Medvedev, O. S., Shapenkov, S. V., Ubyivovk, E. V. & Vyvenko, O. F., 11 Dec 2019, In: Journal of Physics: Conference Series. 1400, 5, 055049.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  8. Peculiarity of Electric Properties of Oxygen-Implanted Silicon at Early Precipitation Stages

    Danilov, D., Vyvenko, O., Loshachenko, A. & Sobolev, N., Sep 2019, In: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 216, 17, 9 p., 1900327.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  9. Unusual Polarization Dependence of Dislocation-Related Luminescence in n-GaN

    Medvedev, O., Albrecht, M. & Vyvenko, O., Sep 2019, In: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 216, 17, 6 p., 1900305.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  10. Combined DLTS/MCTS investigations of deep electrical levels of regular dislocation networks in silicon

    Trushin, M., Varlamov, A., Loshachenko, A., Vyvenko, O. & Kittler, M., 23 May 2019, In: Journal of Physics: Conference Series. 1190, 1, 9 p., 012005.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  11. Extended core structure and luminescence of a-screw dislocations in GaN

    Medvedev, O. S., Vyvenko, O. F., Ubyivovk, E. V., Shapenkov, S. V. & Seibt, M., 23 May 2019, In: Journal of Physics: Conference Series. 1190, 1, 5 p., 012006.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  12. Oxygen precipitate positive charge evolution upon annealing of oxygen implanted silicon

    Danilov, D., Vyvenko, O., Trushin, M., Loshachenko, A. & Sobolev, N., 23 May 2019, In: Journal of Physics: Conference Series. 1190, 1, 4 p., 012016.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

Previous 12 3 4 5 6 7 8 9 ...20 Next

ID: 218817