81 - 90 out of 113Page size: 10
  1. 2008

  2. Charge state of luminescence centers in the Si-SiO2 structures subjected to sequential implantation with silicon and carbon ions

    Baraban, A. P. & Petrov, Y. V., 1 Dec 2008, In: Semiconductors. 42, 13, p. 1515-1518 4 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. 2007

  4. ЗАРЯДОВОЕ СОСТОЯНИЕ ЦЕНТРОВ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В СТРУКТУРАХ SI-SIO 2 , ПОДВЕРГНУТЫХ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНАМИ КРЕМНИЯ И УГЛЕРОДА

    Барабан, А. П. & Петров, Ю. В., 2007, In: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 3, p. 18-22

    Research output: Contribution to journal › Article

  5. Электрически активные центры в области границы кремний-диэлектрик с относительно большой диэлектрической.

    Барабан, А. П., Дмитриев, В. А., Дрозд, В. Е. & Никифорова, И. О., 2007, In: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ. 4, p. 57-67.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  6. 2006

  7. Electroluminescence of Si-SiO2 structures subjected to sequential ion implantation with silicon and carbon

    Baraban, A. P. & Petrov, Y. V., 1 May 2006, In: Physics of the Solid State. 48, 5, p. 966-968 3 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  8. An improved physical model of the 2.7 eV electroluminescence from thin SiO2 films.

    Baraban, A. P., Semykina, E. A. & Vaniochov, M. B., 2006, In: Semiconductor Science and Technology. 21, p. 881-885

    Research output: Contribution to journal › Article

  9. ВЛИЯНИЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ И УФ-ОБЛУЧЕНИЯ НА ЗАРЯДОВОЕ СОСТОЯНИЕ СТРУКТУРЫ SI-SIO 2 Influence of Ion Implantation and UV Irradiation on Charge Properties of Si-SiO2 Structures

    Аскинази, А. Ю., Барабан, А. П., Милоглядова, Л. В., Сазонов, С. Г. & Сергиенко, М. В., 2006, In: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 3, p. 7-13

    Research output: Contribution to journal › Article

  10. ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ СТРУКТУР SI-SIO 2 , ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНО ИМПЛАНТИРОВАННЫХ КРЕМНИЕМ И УГЛЕРОДОМ

    Барабан, А. П. & Петров, Ю. В., 2006, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 5, p. 909-911

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  11. ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ СТРУКТУР SI-SIO 2 , СОДЕРЖАЩИХ ИЗБЫТОЧНЫЙ КРЕМНИЙ

    Барабан, А. П., Петров, Ю. В. & Сазонов, С. Г., 2006, In: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 2, p. 3-8

    Research output: Contribution to journal › Article

  12. 2004

  13. Electroluminescence in SiO2 layers in various structures

    Baraban, A. P., Konorov, P. P., Miloglyadova, L. V. & Troshikhin, A. G., 1 Apr 2004, In: Physics of the Solid State. 46, 4, p. 770-774 5 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  14. The Effect of Annealing on the Electroluminescence of SiO2 Layers with Excess Silicon

    Baraban, A. P., Egorov, D. V., Petrov, Y. V. & Miloglyadova, L. V., 1 Feb 2004, In: Technical Physics Letters. 30, 2, p. 85-87 3 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Previous 1...5 6 7 8 9 10 11 12 Next

ID: 147658