Изучена электролюминесценция структур Si-SiO₂, подвергнутых ионной имплантации кремния в окисный слой с энергией 150 кэВ и дозами от 5·10¹⁶ см^-2 до 3·10¹⁷ см^-2, а также постимплантационному отжигу в атмосфере N₂ при температуре 1100 °C. Показано появление в результате ионной имплантации двух полос в спектре электролюминесценции с энергиями 2,7 эВ и 4,3 эВ, которые, по-видимому, связаны с двухкоординированным по кислороду кремнием. В результате отжига в спектре появляется полоса с энергией 1,6 эВ, которую можно связать с образованием кластеров кремния в окисном слое.

Electroluminescence spectra of Si-implanted Si-SiO₂ structures have been investigated. After implantation the samples were annealed in N₂ at 1100 ºC. Two new electroluminescence bands at 2,7 eV and 4,3 eV were observed. These peaks can be attributed to the formation of the oxygen deficiency centers, such as two-fold coordinated silicon. The new peak at 1,6 eV