Исследовано влияние на зарядовое состояние структур Si-SiO₂ ионной имплантации аргона в окисный слой, электрических полей, приводящих к развитию процесса ударной ионизации в объеме окисного слоя, и ультрафиолетового облучения с энергией квантов больше ширины запрещенной зоны SiO₂. В результате генерируются пространственно разнесенные заряды: отрицательный (с центроидом ~10 нм от поверхности кремния) и положительный (с центроидом 15-25 нм от поверхности кремния). На первом этапе происходит образование значительного положительного заряда (>10¹² см^-2), на втором - образование отрицательного заряда, полностью или частично компенсирующего положительный заряд.

The influence on the charge state of Si-SiO2 structures of the implantation of argon to the oxide layer, the electric fields, resulting in the impact ionization process development in the oxide layer bulk, and the ultraviolet irradiation with the quantum energy exceeding the SiO2 wider forbidden bandwidth, has bee