81 - 90 из 116Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2009

  2. Возможности метода полевых циклов при исследовании структур Si-HfO2 и Si-ZrO2

    Барабан, А. П., Гаджала, А. А., Дмитриев, В. А. & Прокофьев, В. А., 2009, в: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ. 4, стр. 406-409

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Электролюминесценция в структурах кремний-диэлектрик в красной области спектра Electroluminescence of silicon-insulator structures in red branches of spectra

    Барабан, А. П., Дмитриев, В. А., Петров, Ю. В. & Тимофеева, К. А., 2009, в: ИЗВЕСТИЯ РОССИЙСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПЕДАГОГИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМ. А.И. ГЕРЦЕНА. 79, стр. 128-133

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  4. Электролюминесценция твердотельных слоистых структур на основе кремния.

    Барабан, А. П., Дмитриев, В. А. & Петров, Ю. В., 2009, Издательство Санкт-Петербургского университета. 195 стр.

    Результаты исследований: Книги, отчёты, сборники › книга, в т.ч. монография, учебник

  5. 2008

  6. Charge state of luminescence centers in the Si-SiO2 structures subjected to sequential implantation with silicon and carbon ions

    Baraban, A. P. & Petrov, Y. V., 1 дек 2008, в: Semiconductors. 42, 13, стр. 1515-1518 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. 2007

  8. ЗАРЯДОВОЕ СОСТОЯНИЕ ЦЕНТРОВ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В СТРУКТУРАХ SI-SIO 2 , ПОДВЕРГНУТЫХ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНАМИ КРЕМНИЯ И УГЛЕРОДА

    Барабан, А. П. & Петров, Ю. В., 2007, в: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 3, стр. 18-22

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  9. Электрически активные центры в области границы кремний-диэлектрик с относительно большой диэлектрической.

    Барабан, А. П., Дмитриев, В. А., Дрозд, В. Е. & Никифорова, И. О., 2007, в: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ. 4, стр. 57-67.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. 2006

  11. Electroluminescence of Si-SiO2 structures subjected to sequential ion implantation with silicon and carbon

    Baraban, A. P. & Petrov, Y. V., 1 мая 2006, в: Physics of the Solid State. 48, 5, стр. 966-968 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. An improved physical model of the 2.7 eV electroluminescence from thin SiO2 films.

    Baraban, A. P., Semykina, E. A. & Vaniochov, M. B., 2006, в: Semiconductor Science and Technology. 21, стр. 881-885

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  13. ВЛИЯНИЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ И УФ-ОБЛУЧЕНИЯ НА ЗАРЯДОВОЕ СОСТОЯНИЕ СТРУКТУРЫ SI-SIO 2 Influence of Ion Implantation and UV Irradiation on Charge Properties of Si-SiO2 Structures

    Аскинази, А. Ю., Барабан, А. П., Милоглядова, Л. В., Сазонов, С. Г. & Сергиенко, М. В., 2006, в: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 3, стр. 7-13

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  14. ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ СТРУКТУР SI-SIO 2 , ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНО ИМПЛАНТИРОВАННЫХ КРЕМНИЕМ И УГЛЕРОДОМ

    Барабан, А. П. & Петров, Ю. В., 2006, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 5, стр. 909-911

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...5 6 7 8 9 10 11 12 Далее

ID: 147658