1.5 μ-m emission from a silicon MOS-LED based on a dislocation network › Научные исследования в СПбГУ

DOI

https://doi.org/10.1109/IEDM.2006.346912
Конечная издательская версия

M. Kittler
T. Arguirov
O. F. Vyvenko
W. Seifert
T. Mchedlidze
G. Jia
T. Wilhelm

A novel Si MOS-LED is demonstrated, which is fully compatible with Si technology. It is based on a dislocation network fabricated by wafer direct bonding. Light emission at 1.5 μm was observed when the network was near the Si/SiO₂ interface close to/inside the accumulation layer induced by the gate voltage.

Язык оригинала	английский
Название основной публикации	2006 International Electron Devices Meeting Technical Digest, IEDM
DOI	https://doi.org/10.1109/IEDM.2006.346912
Состояние	Опубликовано - 2006
Событие	2006 International Electron Devices Meeting, IEDM - San Francisco, CA, Соединенные Штаты Америки Продолжительность: 10 дек 2006 → 13 дек 2006

Серия публикаций

Название	Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
ISSN (печатное издание)	0163-1918

конференция

конференция	2006 International Electron Devices Meeting, IEDM
Страна/Tерритория	Соединенные Штаты Америки
Город	San Francisco, CA
Период	10/12/06 → 13/12/06

Предметные области Scopus

Электроника, оптика и магнитные материалы
Физика конденсатов
Электротехника и электроника
Химия материалов

ID: 87673986