171 - 180 из 192Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2002

  2. Application of X-ray synchrotron techniques to the characterization of the chemical nature and recombination activity of grown-in and process-induced defects and impurities in solar cells

    Buonassisi, T., Vyvenko, O. F., Istratov, A. A., Weber, E. R. & Schindler, R., 1 янв 2002, в: Materials Research Society Symposium - Proceedings. 719, стр. 179-184 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2001

  4. Depth profiling of the recombination activity of defects measured by temperature-dependent cross-sectional EBIC

    Vyvenko, O., Krüger, O. & Kittler, M., 1 янв 2001, в: Solid State Phenomena. 78-79, стр. 65-72 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. 2000

  6. Cross-sectional electron-beam-induced current analysis of the passivation of extended defects in cast multicrystalline silicon by remote hydrogen plasma treatment

    Vyvenko, O. F., Krüger, O. & Kittler, M., 7 фев 2000, в: Applied Physics Letters. 76, 6, стр. 697-699 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Extension of hydrogen passivation of intragrain defects and grain boundaries in cast multicrystalline silicon

    Krüger, O., Seifert, W., Kittler, M. & Vyvenko, O. F., 1 янв 2000, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 222, 1, стр. 367-378 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. 1999

  9. Exponential analysis in physical phenomena

    Istratov, A. A. & Vyvenko, O. F., 1 янв 1999, в: Review of Scientific Instruments. 70, 2, стр. 1233-1257 25 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › Обзорная статья › Рецензирование

  10. 1998

  11. Critical analysis of weighting functions for the deep level transient spectroscopy of semiconductors

    Istratov, A. A., Vyvenko, O. F., Hieslmair, H. & Weber, E. R., 1 янв 1998, в: Measurement Science and Technology. 9, 3, стр. 477-484 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Electrical and recombination properties of copper-suicide precipitates in silicon

    Istratov, A. A., Hedemann, H., Seibt, M., Vyvenko, O. F., Schröter, W., Heiser, T., Flink, C., Hieslmair, H. & Weber, E. R., 1 янв 1998, в: Journal of the Electrochemical Society. 145, 11, стр. 3889-3898 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Minority carrier transient spectroscopy of copper-silicide and nickel-disilicide precipitates in silicon

    Vyvenko, O. F., 1 янв 1998, в: Solid State Phenomena. 63-64, стр. 301-310 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. 1997

  15. Nature of dislocation-related deep level defects in CdS

    Istratov, A. A. & Vyvenko, O. F., 1 янв 1997, в: Materials Science Forum. 258-263, 9993, стр. 1359-1364 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. 1996

  17. DX-like center generated by uniaxial strains of screw dislocations in CdS

    Istratov, A. A. & Vyvenko, O. F., 15 окт 1996, в: Journal of Applied Physics. 80, 8, стр. 4400-4410 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...14 15 16 17 18 19 20 Далее

ID: 218817