91 - 100 из 115Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2004

  2. Electroluminescence in SiO2 layers in various structures

    Baraban, A. P., Konorov, P. P., Miloglyadova, L. V. & Troshikhin, A. G., 1 апр 2004, в: Physics of the Solid State. 46, 4, стр. 770-774 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. The Effect of Annealing on the Electroluminescence of SiO2 Layers with Excess Silicon

    Baraban, A. P., Egorov, D. V., Petrov, Y. V. & Miloglyadova, L. V., 1 фев 2004, в: Technical Physics Letters. 30, 2, стр. 85-87 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. The Electroluminescence of SiO2 Layers with Excess Silicon

    Baraban, A. P., Egorov, D. V., Petrov, Y. V. & Miloglyadova, L. V., 1 янв 2004, в: Technical Physics Letters. 30, 1, стр. 40-41 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › Обзорная статья › Рецензирование

  5. 2003

  6. Near Ultraviolet Diagnostics of Oxide Layers in Si - SiO2 Structures

    Askinazi, A. Y., Baraban, A. P. & Miloglyadova, L. V., 1 сен 2003, в: Technical Physics Letters. 29, 9, стр. 725-727 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Onefold coordinated oxygen atom: An electron trap in the silicon oxide

    Gritsenko, V. A., Shaposhnikov, A. V., Novikov, Y. N., Baraban, A. P., Wong, H., Zhidomirov, G. M. & Roger, M., 1 апр 2003, в: Microelectronics Reliability. 43, 4, стр. 665-669 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. 2002

  9. Electroluminescence of Si-SiO2-Si3N4 structures

    Baraban, A. P., Egorov, D. V., Askinazi, A. Y. & Miloglyadova, L. V., 1 дек 2002, в: Technical Physics Letters. 28, 12, стр. 978-980 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. The energy position of electrically active centers in the oxide layer of SIMOX structures

    Askinazi, A. Y., Baraban, A. P., Dmitriev, V. A. & Miloglyadova, L. V., 1 дек 2002, в: Technical Physics Letters. 28, 12, стр. 983-985 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Formation of defects in the oxide layer of ion-irradiated Si/SiO2 structures

    Baraban, A. P. & Miloglyadova, L. V., 1 мая 2002, в: Technical Physics. 47, 5, стр. 569-573 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Role of masking oxide on the silicon surface on defect formation in SIMOX structures

    Askinazi, A. Y., Baraban, A. P. & Miloglyadova, L. V., 1 мая 2002, в: Technical Physics. 47, 5, стр. 574-577 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Numerical study of one-fold coordinated oxygen atom in silicon gate oxide

    Gritsenko, V. A., Shaposhnikov, A., Novikov, Y. N., Baraban, A. P., Wong, H., Zhidomirov, G. M. & Roger, M., 1 янв 2002, Proceedings - 2002 IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting, HKEDM 2002. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. 39-42 4 стр. 1029152. (Proceedings of the IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting; том 2002-January).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

Назад 1...6 7 8 9 10 11 12 Далее

ID: 147658