Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Silicon-on-insulator (Si-SiO2) structures fabricated using the SIMOX technology were studied by measuring high-frequency capacitance-voltage characteristics. Based on these data, the energy position of electrically active centers in the oxide layer of SIMOX structures is estimated.
Язык оригинала | английский |
---|---|
Страницы (с-по) | 983-985 |
Число страниц | 3 |
Журнал | Technical Physics Letters |
Том | 28 |
Номер выпуска | 12 |
DOI | |
Состояние | Опубликовано - 1 дек 2002 |
ID: 41086206