111 - 113 из 113Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 1991

  2. Energy dissipation of heated electrons in silicon dioxide layers

    Baraban, A. P., Bulavinov, V. V. & Rybakov, M. O., 1 янв 1991, в: Soviet Physics Journal. 34, 1, стр. 27-30 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 1979

  4. EFFECT OF FLUORIDE IONS ON THE PROPERTIES OF AN SI-SiO2 STRUCTURE.

    Tarantov, Y. A., Baraban, A. P. & Konorov, P. P., 1 янв 1979, в: Soviet Microelectronics (English Translation of Mikroelektronika). 8, 2, стр. 136-137 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. FEATURES OF THE RELAXATION OF THE NONEQUILIBRIUM CAPACITANCE OF Si-SiO2 STRUCTURES IN INTENSE ELECTRIC FIELDS.

    Baraban, A. P. & Tarantov, Y. A., 1 янв 1979, в: Soviet Microelectronics (English Translation of Mikroelektronika). 8, 4, стр. 285-286 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...8 9 10 11 12 Далее

ID: 147658