Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
The process of the formation of axial heterostructures in nanowires is considered on the basis of the vapor-liquid-solid model of growth. A new method of heterostructure formation in (Al, Ga)As nanowires by varying the arsenic flux is proposed.
Язык оригинала | Английский |
---|---|
Страницы (с-по) | 1566-1568 |
Число страниц | 3 |
Журнал | Semiconductors |
Том | 50 |
Номер выпуска | 12 |
DOI | |
Состояние | Опубликовано - дек 2016 |
Событие | International Symposium on Nanophysics and Nanoelectronics - Nizhny Novgorod Продолжительность: 13 мар 2016 → 17 мар 2016 Номер конференции: 20 http://nanosymp.ru/ru/index http://nanosymp.ru/ru/archive |
ID: 11806882