1 - 10 out of 60Page size: 10
  1. 2024

  2. Mechanical loads and site-dependent changes in crystal structure and molecular dynamics in native bone

    Павлычев, А. А., Брыкалова, К. О., Черный, А. А., Конашук, А. С. & Корнеев, А. В., Mar 2024, Proceedings of 2023, the 6th International Conference on Mechanical Engineering and Applied Composite Materials. Yue, X. & Yuan, K. (eds.). Springer Nature, 10 p. (Machine and Materials Science; vol. 156).

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › Research › peer-review

  3. Формирование полярной сегнетоэлектрической фазы в пленках HfO2 в зависимости от условий отжига и химических свойств примесей

    Бугаев, А. В., Конашук, А. С. & Филатова, Е. О., 15 Feb 2024, In: КРИСТАЛЛОГРАФИЯ. 69, 1, p. 28-33 6 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  4. Применение метода NEXAFS для поиска оптимальных условий реализации морфотропной границы для наноплёнок La(Y):Hf0,5Zr0,5O2

    Конашук, А. С., Филатова, Е. О., Лев, Л., Черникова, А. & Зенкевич, А., 2024, p. 116-118. 3 p.

    Research output: Contribution to conference › Abstract › peer-review

  5. 2023

  6. Effect of postannealing crystallization of FE:HfO2 on dynamics of HfxSi1-xO2 formation at SiO2/FE:HfO2 interface depending on valence of doping impurity

    Konashuk, A. S., Filatova, E. O., Bugaev, A. V. & Sakhonenkov, S. S., Jun 2023, (E-pub ahead of print). 2 p.

    Research output: Contribution to conference › Abstract › peer-review

  7. Role of Postdeposition Annealing and Doping with Si and Al Impurities in the Formation of HfxSi1–xO2 at the SiO2/FE:HfO2 Interface in a Ferroelectric Field-Effect Transistor

    Konashuk, A. S., Filatova, E. O., Bugaev, A. V., Sakhonenkov, S. S. & Danilov, D. V., 12 May 2023, (E-pub ahead of print) In: Journal of Physical Chemistry C.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  8. 2022

  9. ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ОТЖИГА И ДОПИРОВАНИЯ ТРИ-/ТЕТРА-ВАЛЕНТНОЙ ПРИМЕСЬЮ HfO2 НА ФОРМИРОВАНИЕ HfXSi1-XO2 НА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЕ SiO2/HfO2 В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ

    Конашук, А. С., Бугаев, А. В. & Филатова, Е. О., Dec 2022, p. 146-147. 2 p.

    Research output: Contribution to conference › Abstract › peer-review

  10. Исследование физико-химических процессов на межфазных границах системы Si/SiO2/HfO2/TiN при высокотемпературном отжиге и легировании примесями сегнетоэлектрического HfO2

    Бугаев, А. В., Конашук, А. С. & Филатова, Е. О., May 2022.

    Research output: Contribution to conference › Abstract

  11. Влияние условий отжига и легирования примесями сегнетоэлектрического HfO2 на межфазные границы системы Si/SiO2/HfO2/TiN

    Бугаев, А. В., Конашук, А. С. & Филатова, Е. О., Apr 2022, p. 524-525. 2 p.

    Research output: Contribution to conference › Abstract

  12. 2021

  13. Structural and electronic rearrangement in ovonic switching GexSe1-x(0,4 ≤ x ≤ 0,72) films

    Konashuk, A. S., Filatova, E. O., Sokolov, A. A., Afanas'ev, V. V., Houssa, M. & Stesmans, A., 1 Dec 2021, In: Solid-State Electronics. 186, 5 p., 108084.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  14. Влияние условий отжига и материала примеси HfO2 на процессы диффузии азота и кислорода на межфазной границе HfO2/TiN

    Бугаев, А. В., Филатова, Е. О. & Конашук, А. С., Dec 2021, p. 15-16. 2 p.

    Research output: Contribution to conference › Abstract › peer-review

Previous 1 2 3 4 5 6 Next

ID: 196361