Исследован подход к созданию светоизлучающей структуры на основе
нитевидных нанокристаллов GaN с объемными вставками структуры «core-shell» InGaN с высоким содержанием индия. Результаты оптических измерений демонстрируют фотолюминесценцию вставок InGaN в зеленом спектре при комнатной температуре. Изучение электрических свойств показывает типичную диодную зависимость. Результаты могут иметь решающее значение для разработки светоизлучающих диодов на кремниевых подложках.