Низкотемпературный рост нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs на подложках Si(100)

Standard

Низкотемпературный рост нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs на подложках Si(100). / Корякин, Александр Александрович ; Убыйвовк, Евгений Викторович ; Котляр, Константин Павлович; Лендяшова, Вера Вадимовна; Резник, Родион Романович ; Цырлин, Георгий Эрнстович.

в: Technical Physics Letters, Том 50, № 7, 06.03.2024, стр. 27-30.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

BibTeX

@article{91241f6e6ab84e919138b8d9518f682e,

title = "Низкотемпературный рост нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs на подложках Si(100)",

abstract = "Представлены результаты исследования низкотемпературного роста нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(100). Методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии изучены морфология и структура нитевидных и пластинчатых нанокристаллов. Обнаружено, что при росте нитевидных нанокристаллов в направлении [110] граница раздела катализатора и нитевидного нанокристалла содержит две грани: InAs(111) и InAs(111). Предложена простая геометрическая модель роста нитевидного нанокристалла, объясняющая стабильность данных граней, и получены оценки для отношения скоростей движения ступеней на них. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, пластинчатые нанокристаллы, механизм роста пар-кристалл-кристалл, полупроводники AIIIBV.",

author = "Корякин, {Александр Александрович} and Убыйвовк, {Евгений Викторович} and Котляр, {Константин Павлович} and Лендяшова, {Вера Вадимовна} and Резник, {Родион Романович} and Цырлин, {Георгий Эрнстович}",

note = "А.А. Корякин, Е.В. Убыйвовк, К.П. Котляр, В.В. Лендяшова, Р.Р. Резник, Г.Э. Цырлин {"}Низкотемпературный рост нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs на подложках Si(100){"}, Письма в ЖТФ, 2024, том 50, вып. 7, с. 27-30, 2024",

year = "2024",

month = mar,

day = "6",

doi = "10.61011/PJTF.2024.07.57466.19742",

language = "русский",

volume = "50",

pages = "27--30",

journal = "Technical Physics Letters",

issn = "1063-7850",

publisher = "МАИК {"}Наука/Интерпериодика{"}",

number = "7",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Низкотемпературный рост нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs на подложках Si(100)

AU - Корякин, Александр Александрович

AU - Убыйвовк, Евгений Викторович

AU - Котляр, Константин Павлович

AU - Лендяшова, Вера Вадимовна

AU - Резник, Родион Романович

AU - Цырлин, Георгий Эрнстович

N1 - А.А. Корякин, Е.В. Убыйвовк, К.П. Котляр, В.В. Лендяшова, Р.Р. Резник, Г.Э. Цырлин "Низкотемпературный рост нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs на подложках Si(100)", Письма в ЖТФ, 2024, том 50, вып. 7, с. 27-30, 2024

PY - 2024/3/6

Y1 - 2024/3/6

N2 - Представлены результаты исследования низкотемпературного роста нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(100). Методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии изучены морфология и структура нитевидных и пластинчатых нанокристаллов. Обнаружено, что при росте нитевидных нанокристаллов в направлении [110] граница раздела катализатора и нитевидного нанокристалла содержит две грани: InAs(111) и InAs(111). Предложена простая геометрическая модель роста нитевидного нанокристалла, объясняющая стабильность данных граней, и получены оценки для отношения скоростей движения ступеней на них. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, пластинчатые нанокристаллы, механизм роста пар-кристалл-кристалл, полупроводники AIIIBV.

AB - Представлены результаты исследования низкотемпературного роста нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(100). Методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии изучены морфология и структура нитевидных и пластинчатых нанокристаллов. Обнаружено, что при росте нитевидных нанокристаллов в направлении [110] граница раздела катализатора и нитевидного нанокристалла содержит две грани: InAs(111) и InAs(111). Предложена простая геометрическая модель роста нитевидного нанокристалла, объясняющая стабильность данных граней, и получены оценки для отношения скоростей движения ступеней на них. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, пластинчатые нанокристаллы, механизм роста пар-кристалл-кристалл, полупроводники AIIIBV.

U2 - 10.61011/PJTF.2024.07.57466.19742

DO - 10.61011/PJTF.2024.07.57466.19742

M3 - статья

VL - 50

SP - 27

EP - 30

JO - Technical Physics Letters

JF - Technical Physics Letters

SN - 1063-7850

IS - 7

ER -

ID: 119076465