Представлены результаты исследования низкотемпературного роста нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(100). Методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии изучены морфология и структура нитевидных и пластинчатых нанокристаллов. Обнаружено, что при росте нитевидных нанокристаллов в направлении [110] граница раздела катализатора и нитевидного нанокристалла содержит две грани: InAs(111) и InAs(111). Предложена простая геометрическая модель роста нитевидного нанокристалла, объясняющая стабильность данных граней, и получены оценки для отношения скоростей движения ступеней на них. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, пластинчатые нанокристаллы, механизм роста пар-кристалл-кристалл, полупроводники AIIIBV.